Waferträger mit Siliziumkarbid (SiC)-Beschichtung

Kurzbeschreibung:

Waferträger mit Siliziumkarbid (SiC)-Beschichtung sind ein Substrat, das in der Halbleiterfertigung verwendet wird. Es zeichnet sich durch eine Schicht aus Siliziumkarbidmaterial aus, die auf die Oberfläche des Waferträgers aufgetragen wird. Siliziumkarbid verfügt über eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und eine hohe Temperaturbeständigkeit, was es zu einem idealen Material für das Wärmemanagement in Halbleiterprozessen macht.


Produktdetails

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Beschreibung

WaferträgermitBeschichtung aus Siliziumkarbid (SiC).von semicera sind fachmännisch für leistungsstarkes epitaktisches Wachstum konzipiert und gewährleisten optimale ErgebnisseSi-EpitaxieUndSiC-EpitaxieAnwendungen. Die präzisionsgefertigten Träger von Semicera sind so konstruiert, dass sie extremen Bedingungen standhalten, was sie zu unverzichtbaren Komponenten in MOCVD-Suszeptorsystemen für Branchen macht, die hohe Genauigkeit und Haltbarkeit erfordern.

Diese Waferträger sind vielseitig und unterstützen kritische Prozesse mit Geräten wie zPSS-Ätzträger, ICP-Ätzträger, UndRTP-Träger. Ihre robuste SiC-Beschichtung verbessert die Leistung für Anwendungen wieLED EpitaxieSuszeptor und monokristallines Silizium sorgen für konsistente Ergebnisse auch in anspruchsvollen Umgebungen.

Diese Träger sind in verschiedenen Konfigurationen erhältlich, beispielsweise als Barrel Susceptor und Pancake Susceptor. Sie spielen eine wichtige Rolle in der Photovoltaik- und Halbleiterfertigung, indem sie die Produktion von Photovoltaikteilen unterstützen und GaN-auf-SiC-Epitaxieprozesse erleichtern. Mit ihrem überlegenen Design sind diese Träger ein entscheidender Vorteil für Hersteller, die eine hocheffiziente Produktion anstreben.

 

Hauptmerkmale

1. Hochreiner SiC-beschichteter Graphit

2. Überlegene Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit

3. GutSiC-kristallbeschichtetfür eine glatte Oberfläche

4. Hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung

 

Hauptspezifikationen von CVD-SIC-Beschichtungen:

SiC-CVD
Dichte (g/cc) 3.21
Biegefestigkeit (MPa) 470
Wärmeausdehnung (10-6/K) 4
Wärmeleitfähigkeit (W/mK) 300

Verpackung und Versand

Lieferfähigkeit:
10000 Stück/Stücke pro Monat
Verpackung & Lieferung:
Verpackung: Standard- und starke Verpackung
Polybeutel + Karton + Karton + Palette
Hafen:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Vorlaufzeit:

Menge (Stück)

1-1000

>1000

Schätzung: Zeit (Tage) 30 Zu verhandeln
Semicera Arbeitsplatz
Semicera Arbeitsplatz 2
Ausrüstungsmaschine
CNN-Verarbeitung, chemische Reinigung, CVD-Beschichtung
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