Beschreibung
WaferträgermitBeschichtung aus Siliziumkarbid (SiC).von semicera sind fachmännisch für leistungsstarkes epitaktisches Wachstum konzipiert und gewährleisten optimale ErgebnisseSi-EpitaxieUndSiC-EpitaxieAnwendungen. Die präzisionsgefertigten Träger von Semicera sind so konstruiert, dass sie extremen Bedingungen standhalten, was sie zu unverzichtbaren Komponenten in MOCVD-Suszeptorsystemen für Branchen macht, die hohe Genauigkeit und Haltbarkeit erfordern.
Diese Waferträger sind vielseitig und unterstützen kritische Prozesse mit Geräten wie zPSS-Ätzträger, ICP-Ätzträger, UndRTP-Träger. Ihre robuste SiC-Beschichtung verbessert die Leistung für Anwendungen wieLED EpitaxieSuszeptor und monokristallines Silizium sorgen für konsistente Ergebnisse auch in anspruchsvollen Umgebungen.
Diese Träger sind in verschiedenen Konfigurationen erhältlich, beispielsweise als Barrel Susceptor und Pancake Susceptor. Sie spielen eine wichtige Rolle in der Photovoltaik- und Halbleiterfertigung, indem sie die Produktion von Photovoltaikteilen unterstützen und GaN-auf-SiC-Epitaxieprozesse erleichtern. Mit ihrem überlegenen Design sind diese Träger ein entscheidender Vorteil für Hersteller, die eine hocheffiziente Produktion anstreben.
Hauptmerkmale
1. Hochreiner SiC-beschichteter Graphit
2. Überlegene Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit
3. GutSiC-kristallbeschichtetfür eine glatte Oberfläche
4. Hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung
Hauptspezifikationen von CVD-SIC-Beschichtungen:
SiC-CVD | ||
Dichte | (g/cc) | 3.21 |
Biegefestigkeit | (MPa) | 470 |
Wärmeausdehnung | (10-6/K) | 4 |
Wärmeleitfähigkeit | (W/mK) | 300 |
Verpackung und Versand
Lieferfähigkeit:
10000 Stück/Stücke pro Monat
Verpackung & Lieferung:
Verpackung: Standard- und starke Verpackung
Polybeutel + Karton + Karton + Palette
Hafen:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Vorlaufzeit:
Menge (Stück) | 1-1000 | >1000 |
Schätzung: Zeit (Tage) | 30 | Zu verhandeln |