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  • Welche Methoden gibt es zum Polieren von Wafern?

    Welche Methoden gibt es zum Polieren von Wafern?

    Von allen Prozessen, die zur Herstellung eines Chips erforderlich sind, besteht das endgültige Schicksal des Wafers darin, in einzelne Chips geschnitten und in kleine, geschlossene Schachteln verpackt zu werden, wobei nur wenige Stifte freiliegen.Der Chip wird anhand seiner Schwellen-, Widerstands-, Strom- und Spannungswerte bewertet, aber niemand wird darüber nachdenken ...
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  • Die grundlegende Einführung des epitaktischen Wachstumsprozesses von SiC

    Die grundlegende Einführung des epitaktischen Wachstumsprozesses von SiC

    Die Epitaxieschicht ist ein spezifischer Einkristallfilm, der durch einen Epitaxieprozess auf dem Wafer gezüchtet wird, und der Substratwafer und der Epitaxiefilm werden Epitaxiewafer genannt.Durch das Aufwachsen der Siliziumkarbid-Epitaxieschicht auf dem leitfähigen Siliziumkarbidsubstrat entsteht die homogene Siliziumkarbid-Epitaxie...
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  • Kernpunkte der Qualitätskontrolle des Halbleiterverpackungsprozesses

    Kernpunkte der Qualitätskontrolle des Halbleiterverpackungsprozesses

    Wichtige Punkte für die Qualitätskontrolle im Halbleiterverpackungsprozess. Derzeit wurde die Prozesstechnologie für die Halbleiterverpackung erheblich verbessert und optimiert.Insgesamt gesehen sind die Prozesse und Methoden zur Halbleiterverpackung jedoch noch nicht ganz ausgereift.
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  • Herausforderungen im Halbleiterverpackungsprozess

    Herausforderungen im Halbleiterverpackungsprozess

    Die aktuellen Techniken für die Halbleiterverpackung verbessern sich allmählich, aber das Ausmaß, in dem automatisierte Geräte und Technologien bei der Halbleiterverpackung eingesetzt werden, bestimmt direkt die Verwirklichung der erwarteten Ergebnisse.Die bestehenden Halbleiter-Packaging-Prozesse leiden immer noch unter...
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  • Forschung und Analyse des Halbleiterverpackungsprozesses

    Forschung und Analyse des Halbleiterverpackungsprozesses

    Überblick über den HalbleiterprozessDer Halbleiterprozess umfasst in erster Linie die Anwendung von Mikrofertigungs- und Filmtechnologien, um Chips und andere Elemente in verschiedenen Bereichen, wie z. B. Substraten und Rahmen, vollständig zu verbinden.Dies erleichtert das Herausziehen der Anschlussklemmen und das Verkapseln mit einem...
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  • Neue Trends in der Halbleiterindustrie: Die Anwendung der Schutzbeschichtungstechnologie

    Neue Trends in der Halbleiterindustrie: Die Anwendung der Schutzbeschichtungstechnologie

    Die Halbleiterindustrie erlebt ein beispielloses Wachstum, insbesondere im Bereich der Leistungselektronik aus Siliziumkarbid (SiC).Da viele große Waferfabriken gebaut oder erweitert werden, um der steigenden Nachfrage nach SiC-Bauelementen in Elektrofahrzeugen gerecht zu werden, ist dies ...
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  • Was sind die Hauptschritte bei der Verarbeitung von SiC-Substraten?

    Was sind die Hauptschritte bei der Verarbeitung von SiC-Substraten?

    Unsere Produktions- und Verarbeitungsschritte für SiC-Substrate sind wie folgt: 1. Kristallausrichtung: Verwendung von Röntgenbeugung zur Ausrichtung des Kristallbarrens.Wenn ein Röntgenstrahl auf die gewünschte Kristallfläche gerichtet wird, bestimmt der Winkel des gebeugten Strahls die Kristallorientierung.2. Schleifen des Außendurchmessers ...
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  • Ein wichtiges Material, das die Qualität des Wachstums von einkristallinem Silizium bestimmt – das thermische Feld

    Ein wichtiges Material, das die Qualität des Wachstums von einkristallinem Silizium bestimmt – das thermische Feld

    Der Wachstumsprozess von einkristallinem Silizium erfolgt vollständig im thermischen Feld.Ein gutes Wärmefeld trägt zur Verbesserung der Kristallqualität bei und sorgt für eine hohe Kristallisationseffizienz.Die Gestaltung des Wärmefeldes bestimmt maßgeblich die Veränderungen und Veränderungen...
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  • Was ist epitaktisches Wachstum?

    Was ist epitaktisches Wachstum?

    Epitaxiales Wachstum ist eine Technologie, bei der eine Einkristallschicht auf einem Einkristallsubstrat (Substrat) mit der gleichen Kristallorientierung wie das Substrat gezüchtet wird, als ob sich der ursprüngliche Kristall nach außen ausgedehnt hätte.Diese neu gewachsene Einkristallschicht kann sich hinsichtlich der Zusammensetzung vom Substrat unterscheiden.
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  • Was ist der Unterschied zwischen Substrat und Epitaxie?

    Was ist der Unterschied zwischen Substrat und Epitaxie?

    Im Wafervorbereitungsprozess gibt es zwei Kernglieder: Zum einen die Vorbereitung des Substrats und zum anderen die Durchführung des Epitaxieprozesses.Das Substrat, ein sorgfältig aus Halbleiter-Einkristallmaterial gefertigter Wafer, kann direkt in die Wafer-Herstellung eingesetzt werden ...
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  • Enthüllung der vielseitigen Eigenschaften von Graphitheizungen

    Enthüllung der vielseitigen Eigenschaften von Graphitheizungen

    Graphitheizgeräte haben sich aufgrund ihrer außergewöhnlichen Eigenschaften und Vielseitigkeit in verschiedenen Branchen zu unverzichtbaren Werkzeugen entwickelt.Von Laboren bis hin zu Industrieumgebungen spielen diese Heizgeräte eine zentrale Rolle in Prozessen, die von der Materialsynthese bis hin zu Analysetechniken reichen.Unter den verschiedenen ...
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  • Ausführliche Erläuterung der Vor- und Nachteile des Trockenätzens und Nassätzens

    Ausführliche Erläuterung der Vor- und Nachteile des Trockenätzens und Nassätzens

    In der Halbleiterfertigung gibt es eine Technik namens „Ätzen“, die während der Bearbeitung eines Substrats oder eines auf dem Substrat gebildeten dünnen Films erfolgt.Die Entwicklung der Ätztechnologie hat dazu beigetragen, die Vorhersage des Intel-Gründers Gordon Moore aus dem Jahr 1965 zu verwirklichen, dass „...
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