Branchennachrichten

  • Anwendungsaussichten von Siliziumkarbid-Waferbooten im Halbleiterbereich

    Anwendungsaussichten von Siliziumkarbid-Waferbooten im Halbleiterbereich

    Im Halbleiterbereich ist die Materialauswahl von entscheidender Bedeutung für die Geräteleistung und die Prozessentwicklung.In den letzten Jahren haben Siliziumkarbid-Wafer als aufstrebendes Material große Aufmerksamkeit erregt und großes Potenzial für die Anwendung im Halbleiterbereich gezeigt.Silikon...
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  • Anwendungsaussichten von Siliziumkarbidkeramik im Bereich der photovoltaischen Solarenergie

    Anwendungsaussichten von Siliziumkarbidkeramik im Bereich der photovoltaischen Solarenergie

    Da die weltweite Nachfrage nach erneuerbaren Energien in den letzten Jahren gestiegen ist, hat die Photovoltaik-Solarenergie als saubere, nachhaltige Energieoption immer mehr an Bedeutung gewonnen.Bei der Entwicklung der Photovoltaik-Technologie spielen die Materialwissenschaften eine entscheidende Rolle.Darunter Siliziumkarbidkeramik, eine...
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  • Herstellungsverfahren für übliche TaC-beschichtete Graphitteile

    Herstellungsverfahren für übliche TaC-beschichtete Graphitteile

    PART/1CVD-Methode (Chemical Vapour Deposition): Bei 900–2300 ℃, unter Verwendung von TaCl5 und CnHm als Tantal- und Kohlenstoffquellen, H₂ als reduzierende Atmosphäre, Ar₂ als Trägergas, Reaktionsabscheidungsfilm.Die vorbereitete Beschichtung ist kompakt, gleichmäßig und von hoher Reinheit.Allerdings gibt es einige Probleme...
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  • Anwendung von TaC-beschichteten Graphitteilen

    Anwendung von TaC-beschichteten Graphitteilen

    TEIL/1 Tiegel, Impfkristallhalter und Führungsring im SiC- und AIN-Einkristallofen wurden mit der PVT-Methode gezüchtet. Wie in Abbildung 2 [1] gezeigt, befindet sich der Impfkristall darin, wenn zur Herstellung von SiC die physikalische Dampftransportmethode (PVT) verwendet wird der relativ niedrige Temperaturbereich, der SiC r...
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  • Struktur und Wachstumstechnologie von Siliziumkarbid (Ⅱ)

    Struktur und Wachstumstechnologie von Siliziumkarbid (Ⅱ)

    Viertens: Physikalische Dampftransportmethode Die physikalische Dampftransportmethode (PVT) hat ihren Ursprung in der 1955 von Lely erfundenen Dampfphasensublimationstechnologie. Das SiC-Pulver wird in ein Graphitrohr gegeben und auf hohe Temperatur erhitzt, um das SiC-Pulver zu zersetzen und zu sublimieren.
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  • Struktur und Wachstumstechnologie von Siliziumkarbid (Ⅰ)

    Struktur und Wachstumstechnologie von Siliziumkarbid (Ⅰ)

    Erstens die Struktur und Eigenschaften des SiC-Kristalls.SiC ist eine binäre Verbindung, die aus Si-Element und C-Element im Verhältnis 1:1 besteht, d. h. 50 % Silizium (Si) und 50 % Kohlenstoff (C), und ihre Grundstruktureinheit ist das SI-C-Tetraeder.Schematische Darstellung eines Siliziumkarbid-Tetraeders...
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  • Vorteile der Tantalcarbid-Beschichtung in Halbleiterprodukten

    Vorteile der Tantalcarbid-Beschichtung in Halbleiterprodukten

    Mit dem kontinuierlichen Fortschritt von Wissenschaft und Technologie spielen Halbleiterprodukte eine immer wichtigere Rolle in unserem Leben.Im Halbleiterfertigungsprozess hat der Einsatz von Beschichtungstechnologie zunehmend an Bedeutung gewonnen.Als Material weit...
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  • Siliziumkarbiddüsen in der elektronischen Halbleiterfertigung

    Siliziumkarbiddüsen in der elektronischen Halbleiterfertigung

    Siliziumkarbiddüsen spielen eine wichtige Rolle bei der Herstellung elektronischer Halbleiter.Dabei handelt es sich um Geräte zum Versprühen von Flüssigkeiten oder Gasen, die häufig zur nasschemischen Behandlung in der Halbleiterfertigung eingesetzt werden.Die Sic-Düse bietet die Vorteile einer hohen Temperaturbeständigkeit, ...
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  • Hervorragende Leistung des Siliziumkarbid-Kristallschiffchens in Umgebungen mit hohen Temperaturen

    Hervorragende Leistung des Siliziumkarbid-Kristallschiffchens in Umgebungen mit hohen Temperaturen

    Siliziumkarbid-Kristallboot ist ein Material mit hervorragenden Eigenschaften, das in Umgebungen mit hohen Temperaturen eine außergewöhnliche Hitze- und Korrosionsbeständigkeit aufweist.Es handelt sich um eine Verbindung aus Kohlenstoff- und Siliziumelementen mit hoher Härte, hohem Schmelzpunkt und ausgezeichneter thermischer...
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  • Entdecken Sie die einzigartigen Eigenschaften und Anwendungen von Glaskohlenstoff

    Entdecken Sie die einzigartigen Eigenschaften und Anwendungen von Glaskohlenstoff

    Kohlenstoff ist eines der häufigsten Elemente in der Natur und umfasst die Eigenschaften fast aller auf der Erde vorkommenden Substanzen.Es weist ein breites Spektrum an Eigenschaften auf, wie z. B. unterschiedliche Härte und Weichheit, Isolations-Halbleiter-Supraleiter-Verhalten, Wärmeisolations-Supraleitung und Li...
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  • Semicera stellt innovative Graphitprodukte vor und bietet der Branche herausragende Lösungen

    Semicera stellt innovative Graphitprodukte vor und bietet der Branche herausragende Lösungen

    Semicera, ein weltweit führender Hersteller von Graphitprodukten, hat kürzlich die Einführung einer Reihe innovativer Produkte angekündigt, die der Branche außergewöhnliche Lösungen bieten.Als führendes Unternehmen in diesem Bereich ist Semicera bestrebt, qualitativ hochwertige und leistungsstarke Graphitprodukte anzubieten...
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  • Was sind Leistungshalbleiter?Das schnelle Wachstum dieses Marktes verstehen!

    Was sind Leistungshalbleiter?Das schnelle Wachstum dieses Marktes verstehen!

    Als eines der führenden Unternehmen der Branche ist Semicera bestrebt, unseren Kunden innovative Lösungen anzubieten.In diesem Artikel werden wir das Konzept der Leistungshalbleiter untersuchen und verstehen, warum dieser Markt ein schnelles Wachstum erlebt.Leistungshalbleiter verstehen...
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