PART/1CVD-Methode (Chemical Vapour Deposition): Bei 900–2300 ℃, unter Verwendung von TaCl5 und CnHm als Tantal- und Kohlenstoffquellen, H₂ als reduzierende Atmosphäre, Ar₂ als Trägergas, Reaktionsabscheidungsfilm.Die vorbereitete Beschichtung ist kompakt, gleichmäßig und von hoher Reinheit.Allerdings gibt es einige Probleme...
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