SiC-beschichteter Graphitträger mit langer Lebensdauer für Solarwafer

Kurze Beschreibung:

Siliziumkarbid ist eine neue Art von Keramik mit hoher Kostenleistung und hervorragenden Materialeigenschaften.Aufgrund seiner Eigenschaften wie hoher Festigkeit und Härte, hoher Temperaturbeständigkeit, hervorragender Wärmeleitfähigkeit und chemischer Korrosionsbeständigkeit kann Siliziumkarbid nahezu allen chemischen Medien standhalten.Daher wird SiC häufig im Ölbergbau, in der Chemie, im Maschinenbau und im Luftraum eingesetzt, selbst die Kernenergie und das Militär stellen besondere Anforderungen an SIC.Zu den üblichen Anwendungen, die wir anbieten können, gehören Dichtungsringe für Pumpen, Ventile und Schutzpanzerungen usw.


Produktdetail

Produkt Tags

Vorteile

Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen
Ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit
Gute Abriebfestigkeit
Hoher Wärmeleitkoeffizient
Selbstschmierfähigkeit, geringe Dichte
Hohe Härte
Individuelles Design.

HGF (2)
HGF (1)

Anwendungen

-Verschleißfestes Feld: Buchse, Platte, Sandstrahldüse, Zyklonauskleidung, Schleiftrommel usw.
-Hochtemperaturfeld: SiC-Platte, Abschreckofenrohr, Strahlungsrohr, Tiegel, Heizelement, Walze, Strahl, Wärmetauscher, Kaltluftrohr, Brennerdüse, Thermoelement-Schutzrohr, SiC-Boot, Ofenwagenstruktur, Setter usw.
-Siliziumkarbid-Halbleiter: SiC-Wafer-Boot, Sic-Chuck, Sic-Paddel, Sic-Kassette, Sic-Diffusionsrohr, Wafer-Gabel, Saugplatte, Führung usw.
-Siliziumkarbid-Dichtungsbereich: alle Arten von Dichtungsringen, Lagern, Buchsen usw.
-Photovoltaikfeld: Auslegerpaddel, Schleiftrommel, Siliziumkarbidwalze usw.
-Lithium-Batteriefeld

WAFER (1)

WAFER (2)

Physikalische Eigenschaften von SiC

Eigentum Wert Methode
Dichte 3,21 g/cm³ Sink-Float und Dimension
Spezifische Wärme 0,66 J/g °K Gepulster Laserblitz
Biegefestigkeit 450 MPa560 MPa 4-Punkt-Biegung, RT4-Punkt-Biegung, 1300°
Bruchzähigkeit 2,94 MPa m1/2 Mikroindentation
Härte 2800 Vicker's, 500g Ladung
ElastizitätsmodulYoung-Modul 450 GPa430 GPa 4-Punkt-Bogen, RT4-Punkt-Bogen, 1300 °C
Körnung 2 – 10 µm SEM

Thermische Eigenschaften von SiC

Wärmeleitfähigkeit 250 W/m°K Laserblitzverfahren, RT
Wärmeausdehnung (CTE) 4,5 x 10-6 °K Raumtemperatur bis 950 °C, Silica-Dilatometer

Technische Parameter

Artikel Einheit Daten
RBSiC(SiSiC) NBSiC SSiC RSiC OSiC
SiC-Gehalt % 85 75 99 99,9 ≥99
Freier Siliziumgehalt % 15 0 0 0 0
Maximale Betriebstemperatur 1380 1450 1650 1620 1400
Dichte g/cm3 3.02 2,75-2,85 3.08-3.16 2,65-2,75 2,75-2,85
Offene Porosität % 0 13-15 0 15-18 7-8
Biegefestigkeit 20℃ Мpa 250 160 380 100 /
Biegefestigkeit 1200℃ Мpa 280 180 400 120 /
Elastizitätsmodul 20℃ Gpa 330 580 420 240 /
Elastizitätsmodul 1200℃ Gpa 300 / / 200 /
Wärmeleitfähigkeit 1200℃ W/mK 45 19.6 100-120 36.6 /
Der Wärmeausdehnungskoeffizient K-1X10-6 4.5 4.7 4.1 4,69 /
HV Kg/mm2 2115 / 2800 / /

Die CVD-Siliziumkarbidbeschichtung auf der Außenfläche rekristallisierter Siliziumkarbid-Keramikprodukte kann eine Reinheit von mehr als 99,9999 % erreichen, um den Anforderungen von Kunden in der Halbleiterindustrie gerecht zu werden.

Semicera Arbeitsplatz
Semicera Arbeitsplatz 2
Ausrüstungsmaschine
CNN-Verarbeitung, chemische Reinigung, CVD-Beschichtung
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