Beschreibung
Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Methode auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien an, sodass spezielle Gase, die Kohlenstoff und Silizium enthalten, bei hoher Temperatur reagieren, um hochreine SiC-Moleküle zu erhalten, Moleküle, die auf der Oberfläche der beschichteten Materialien abgeschieden werden. Bildung einer SIC-Schutzschicht.
Haupteigenschaften
1. Hochreiner SiC-beschichteter Graphit
2. Überlegene Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit
3. Feine SiC-Kristallbeschichtung für eine glatte Oberfläche
4. Hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung
Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften | ||
Kristallstruktur | FCC-β-Phase | |
Dichte | g/cm³ | 3.21 |
Härte | Vickers-Härte | 2500 |
Körnung | μm | 2~10 |
Chemische Reinheit | % | 99,99995 |
Wärmekapazität | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
Sublimationstemperatur | ℃ | 2700 |
Biegekraft | MPa (RT 4-Punkt) | 415 |
Elastizitätsmodul | Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃) | 430 |
Wärmeausdehnung (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
Wärmeleitfähigkeit | (W/mK) | 300 |
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