Blau/grüne LED-Epitaxie

Kurze Beschreibung:

Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Methode auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien an, sodass spezielle Gase, die Kohlenstoff und Silizium enthalten, bei hoher Temperatur reagieren, um hochreine SiC-Moleküle zu erhalten, Moleküle, die auf der Oberfläche der beschichteten Materialien abgeschieden werden. Bildung einer SIC-Schutzschicht.


Produktdetail

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Haupteigenschaften:

1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen:

Die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen bis zu 1600 °C noch sehr gut.

2. Hohe Reinheit: hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.

3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.

4. Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.

 Hauptspezifikationen vonCVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur FCC-β-Phase
Dichte g/cm³ 3.21
Härte Vickers-Härte 2500
Körnung μm 2~10
Chemische Reinheit % 99,99995
Wärmekapazität J·kg-1 ·K-1 640
Sublimationstemperatur 2700
Biegekraft MPa (RT 4-Punkt) 415
Elastizitätsmodul Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃) 430
Wärmeausdehnung (CTE) 10-6K-1 4.5
Wärmeleitfähigkeit (W/mK) 300

 

 
LED-Epitaxie
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