Siliziumbasierte GaN-Epitaxie

Kurze Beschreibung:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. ist ein führender Anbieter von fortschrittlicher Halbleiterkeramik und der einzige Hersteller in China, der gleichzeitig hochreine Siliziumkarbidkeramik (insbesondere die) liefern kannUmkristallisiert SiC) und CVD-SiC-Beschichtung.Darüber hinaus engagiert sich unser Unternehmen auch in Keramikbereichen wie Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid, Zirkonoxid und Siliziumnitrid usw.

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Produktdetail

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Produktbeschreibung

Unser Unternehmen bietetSiC-BeschichtungProzessdienstleistungen mittels CVD-Methode auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien, so dass spezielle Gase, die Kohlenstoff und Silizium enthalten, bei hoher Temperatur reagieren, um hochreine SiC-Moleküle zu erhalten, die sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ablagern und bildenSIC-Schutzschicht.

Haupteigenschaften:

1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen:

Die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen bis zu 1600 °C noch sehr gut.

2. Hohe Reinheit: hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.

3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.

4. Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickers-Härte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99,99995
Wärmekapazität	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (CTE)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300