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Teile der zweiten Hälfte für untere Leitbleche im Epitaxieverfahren

Teile der zweiten Hälfte für untere Leitbleche im Epitaxieverfahren. Ausgewähltes Bild
  • Teile der zweiten Hälfte für untere Leitbleche im Epitaxieverfahren

Kurze Beschreibung:

SiC-beschichtete Graphitteile für SiC-Epitaxiegeräte.

Produkteinführung und -verwendung: Verbundenes Quarzrohr, kann Gas leiten, um die Drehung des Tablettbodens anzutreiben, Temperaturregelung

Gerätestandort des Produkts: in der Reaktionskammer, nicht in direktem Kontakt mit dem Wafer

Wichtigste nachgelagerte Produkte: Leistungsgeräte

Hauptterminalmarkt: Fahrzeuge mit neuer Energie


Produktdetail

Produkt Tags

SiC-beschichtetGraphit-Halbmondteilist eine Schlüsselkomponente für Halbleiterherstellungsprozesse, insbesondere für SiC-Epitaxieanlagen.Wir nutzen unsere patentierte Technologie, um das Halbmondteil mit extrem hoher Reinheit, guter Beschichtungsgleichmäßigkeit und ausgezeichneter Lebensdauer sowie hoher chemischer Beständigkeit und thermischen Stabilitätseigenschaften herzustellen.

 
Semicera Arbeitsplatz
Semicera Arbeitsplatz 2
Ausrüstungsmaschine
CNN-Verarbeitung, chemische Reinigung, CVD-Beschichtung
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