Produktbeschreibung
4h-n 4 Zoll 6 Zoll Durchmesser 100 mm Sic Seed Wafer 1 mm Dicke für Barrenwachstum
Kundenspezifische Größe/2 Zoll/3 Zoll/4 Zoll/6 Zoll 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N SIC-Ingots/Hochreine 4H-N 4 Zoll 6 Zoll Durchmesser 150 mm Siliziumkarbid-Einkristallsubstrate (sic)/ Kundenspezifische, zugeschnittene Sic-Wafer, Produktion 4 Zoll Güteklasse 4H-N 1,5 mm SIC-Wafer für Impfkristalle
Über Siliziumkarbid (SiC)-Kristall
Siliziumkarbid (SiC), auch Carborundum genannt, ist ein Halbleiter, der Silizium und Kohlenstoff mit der chemischen Formel SiC enthält. SiC wird in Halbleiterelektronikgeräten verwendet, die bei hohen Temperaturen oder hohen Spannungen oder beidem betrieben werden. SiC ist auch eine der wichtigen LED-Komponenten, es ist ein beliebtes Substrat für den Anbau von GaN-Geräten und dient auch als Wärmeverteiler in Hochfrequenzgeräten. Power-LEDs.
Beschreibung
| Eigentum | 4H-SiC, Einkristall | 6H-SiC, Einkristall |
| Gitterparameter | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3,073 Å c=15,117 Å |
| Stapelreihenfolge | ABCB | ABCACB |
| Mohs-Härte | ≈9,2 | ≈9,2 |
| Dichte | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Therm. Expansionskoeffizient | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Brechungsindex bei 750 nm | nein = 2,61 | nein = 2,60 |
| Dielektrizitätskonstante | c~9,66 | c~9,66 |
| Wärmeleitfähigkeit (N-Typ, 0,02 Ohm.cm) | a~4,2 W/cm·K@298K |
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| Wärmeleitfähigkeit (halbisolierend) | a~4,9 W/cm·K@298K | a~4,6 W/cm·K@298K |
| Bandlücke | 3,23 eV | 3,02 eV |
| Zusammenbruch des elektrischen Feldes | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| Sättigungsdriftgeschwindigkeit | 2,0×105m/s | 2,0×105m/s |
