Mit Siliziumkarbid beschichteter Epitaxie-Reaktorzylinder

Bild eines mit Siliziumkarbid beschichteten Epitaxie-Reaktorzylinders

Kurze Beschreibung:

Semicera ist ein High-Tech-Unternehmen, das sich seit vielen Jahren mit der Materialforschung beschäftigt und über ein führendes Forschungs- und Entwicklungsteam sowie integrierte Forschung und Entwicklung sowie Fertigung verfügt.Bereitstellung eines maßgeschneiderten, mit Siliziumkarbid beschichteten Epitaxie-Reaktorzylinders um mit unseren technischen Experten zu besprechen, wie Sie die beste Leistung und den besten Marktvorteil für Ihre Produkte erzielen.

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Produktdetail

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Warum ist Siliziumkarbid beschichtet?

Im Halbleiterbereich ist die Stabilität jeder Komponente für den gesamten Prozess sehr wichtig.In einer Hochtemperaturumgebung oxidiert Graphit jedoch leicht und geht verloren, und eine SiC-Beschichtung kann einen stabilen Schutz für Graphitteile bieten.ImSemiceraTeam verfügen wir über eine eigene Graphitreinigungsverarbeitungsanlage, mit der die Reinheit von Graphit auf unter 5 ppm kontrolliert werden kann.Die Reinheit der Siliziumkarbidbeschichtung liegt ebenfalls unter 5 ppm.

Unser Vorteil, warum Semicera wählen?

✓Top-Qualität auf dem chinesischen Markt

✓Guter Service immer für Sie, 7*24 Stunden

✓Kurzer Liefertermin

✓Kleine MOQ willkommen und akzeptiert

✓Maßgeschneiderte Dienstleistungen

Anwendung

Epitaxie-Wachstumssuszeptor

Silizium-/Siliziumkarbid-Wafer müssen mehrere Prozesse durchlaufen, um in elektronischen Geräten verwendet zu werden.Ein wichtiger Prozess ist die Silizium/SIC-Epitaxie, bei der Silizium/SIC-Wafer auf einer Graphitbasis getragen werden.Besondere Vorteile der mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitbasis von Semicera sind die extrem hohe Reinheit, die gleichmäßige Beschichtung und die extrem lange Lebensdauer.Sie verfügen außerdem über eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität.

Silizium-Epitaxie-Suszeptor

Siliziumkarbid-Epitaxie-Suszeptor

LED-Chip-Produktion

Bei der großflächigen Beschichtung des MOCVD-Reaktors bewegt die Planetenbasis bzw. der Träger den Substratwafer.Die Leistungsfähigkeit des Grundmaterials hat großen Einfluss auf die Beschichtungsqualität, was sich wiederum auf die Ausschussrate des Spans auswirkt.Die mit Siliziumkarbid beschichtete Basis von Semicera erhöht die Fertigungseffizienz hochwertiger LED-Wafer und minimiert Wellenlängenabweichungen.Für alle aktuell im Einsatz befindlichen MOCVD-Reaktoren liefern wir auch weitere Graphitkomponenten.Wir können nahezu jedes Bauteil mit einer Siliziumkarbid-Beschichtung beschichten, selbst wenn der Bauteildurchmesser bis zu 1,5 m beträgt, können wir dennoch mit Siliziumkarbid beschichten.

LED-Epitaxie-Suszeptor

Halbleiterfeld, Oxidationsdiffusionsprozess, Usw.

Im Halbleiterprozess erfordert der Oxidationsexpansionsprozess eine hohe Produktreinheit, und bei Semicera bieten wir kundenspezifische und CVD-Beschichtungsdienste für die meisten Siliziumkarbidteile an.

Das folgende Bild zeigt die grob bearbeitete Siliziumkarbid-Aufschlämmung von Semicea und das Siliziumkarbid-Ofenrohr, das im 100 gereinigt wird0-EbenestaubfreiZimmer.Unsere Mitarbeiter arbeiten vor dem Beschichten.Die Reinheit unseres Siliziumkarbids kann 99,98 % erreichen, und die Reinheit der Sic-Beschichtung liegt über 99,9995 %..