Halbleiter-SiC-beschichtete monokristalline Silizium-Epitaxiescheibe

Kurze Beschreibung:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. ist ein führender Anbieter, der sich auf Wafer- und fortschrittliche Halbleiter-Verbrauchsmaterialien spezialisiert hat.Wir widmen uns der Bereitstellung qualitativ hochwertiger, zuverlässiger und innovativer Produkte für die Halbleiterfertigung.Photovoltaikindustrieund anderen verwandten Bereichen.

Unsere Produktlinie umfasst SiC/TaC-beschichtete Graphitprodukte und Keramikprodukte, die verschiedene Materialien wie Siliziumkarbid, Siliziumnitrid und Aluminiumoxid usw. umfassen.

Als vertrauenswürdiger Lieferant verstehen wir die Bedeutung von Verbrauchsmaterialien im Herstellungsprozess und sind bestrebt, Produkte zu liefern, die den höchsten Qualitätsstandards entsprechen, um die Bedürfnisse unserer Kunden zu erfüllen.

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Produktdetail

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Beschreibung

Unser Unternehmen bietetSiC-BeschichtungProzessdienstleistungen mittels CVD-Methode auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien, so dass spezielle Gase, die Kohlenstoff und Silizium enthalten, bei hoher Temperatur reagieren, um hochreine SiC-Moleküle zu erhalten, die sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ablagern und bildenSIC-Schutzschicht.

Monokristalline epitaktische Siliziumschicht

Haupteigenschaften

1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen:
Die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen bis zu 1600 °C noch sehr gut.
2. Hohe Reinheit: hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.
4. Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickers-Härte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99,99995
Wärmekapazität	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (CTE)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300