Im Halbleiterbereich ist die Stabilität jeder Komponente für den gesamten Prozess sehr wichtig. In einer Hochtemperaturumgebung oxidiert Graphit jedoch leicht und geht verloren, und eine SiC-Beschichtung kann einen stabilen Schutz für Graphitteile bieten. ImSemiceraTeam verfügen wir über eine eigene Graphitreinigungsverarbeitungsanlage, die die Reinheit von Graphit auf unter 5 ppm kontrollieren kann. Die Reinheit der Siliziumkarbidbeschichtung liegt unter 0,5 ppm.
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Epitaxie-Wachstumssuszeptor
Silizium-/Siliziumkarbid-Wafer müssen mehrere Prozesse durchlaufen, um in elektronischen Geräten verwendet zu werden. Ein wichtiger Prozess ist die Silizium/SIC-Epitaxie, bei der Silizium/SIC-Wafer auf einer Graphitbasis getragen werden. Besondere Vorteile der mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitbasis von Semicera sind die extrem hohe Reinheit, die gleichmäßige Beschichtung und die extrem lange Lebensdauer. Sie verfügen außerdem über eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität.
LED-Chip-Produktion
Während der großflächigen Beschichtung des MOCVD-Reaktors bewegt die Planetenbasis bzw. der Träger den Substratwafer. Die Leistungsfähigkeit des Grundmaterials hat großen Einfluss auf die Beschichtungsqualität, was sich wiederum auf die Ausschussrate des Spans auswirkt. Die mit Siliziumkarbid beschichtete Basis von Semicera erhöht die Fertigungseffizienz hochwertiger LED-Wafer und minimiert Wellenlängenabweichungen. Für alle aktuell im Einsatz befindlichen MOCVD-Reaktoren liefern wir auch weitere Graphitkomponenten. Wir können nahezu jedes Bauteil mit einer Siliziumkarbid-Beschichtung beschichten, selbst wenn der Bauteildurchmesser bis zu 1,5 m beträgt, können wir dennoch mit Siliziumkarbid beschichten.
Halbleiterfeld, Oxidationsdiffusionsprozess, Usw.
Im Halbleiterprozess erfordert der Oxidationsexpansionsprozess eine hohe Produktreinheit, und bei Semicera bieten wir kundenspezifische und CVD-Beschichtungsdienste für die meisten Siliziumkarbidteile an.
Das folgende Bild zeigt die grob bearbeitete Siliziumkarbid-Aufschlämmung von Semicea und das Siliziumkarbid-Ofenrohr, das im 100 gereinigt wird0-EbenestaubfreiZimmer. Unsere Mitarbeiter arbeiten vor dem Beschichten. Die Reinheit unseres Siliziumkarbids kann 99,99 % erreichen, und die Reinheit der Sic-Beschichtung liegt über 99,99995 %..
Rohes Siliziumkarbid-Paddel und SiC-Prozessrohr in der Reinigung
Siliziumkarbid-Waferboot, CVD-SiC-beschichtet
