FokusCVD-SiC-Ringist ein Ringmaterial aus Siliziumkarbid (SiC), das durch die Focus Chemical Vapour Deposition (Focus CVD)-Technologie hergestellt wird.
FokusCVD-SiC-Ringverfügt über viele hervorragende Leistungsmerkmale. Erstens weist es eine hohe Härte, einen hohen Schmelzpunkt und eine ausgezeichnete Hochtemperaturbeständigkeit auf und kann unter extremen Temperaturbedingungen Stabilität und strukturelle Integrität aufrechterhalten. Zweitens: FokusCVD-SiC-Ringverfügt über eine ausgezeichnete chemische Stabilität und Korrosionsbeständigkeit und weist eine hohe Beständigkeit gegenüber korrosiven Medien wie Säuren und Laugen auf. Darüber hinaus verfügt es über eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und mechanische Festigkeit, was für Anwendungsanforderungen in Umgebungen mit hohen Temperaturen, hohem Druck und Korrosion geeignet ist.
FokusCVD-SiC-Ringist in vielen Bereichen weit verbreitet. Es wird häufig zur thermischen Isolierung und zum Schutz von Materialien für Hochtemperaturgeräte wie Hochtemperaturöfen, Vakuumgeräte und chemische Reaktoren verwendet. Darüber hinaus FocusCVD-SiC-Ringkann auch in der Optoelektronik, der Halbleiterfertigung, Präzisionsmaschinen und der Luft- und Raumfahrt eingesetzt werden und bietet eine hohe Umweltverträglichkeit und Zuverlässigkeit.
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Epitaxie-Wachstumssuszeptor
Silizium-/Siliziumkarbid-Wafer müssen mehrere Prozesse durchlaufen, um in elektronischen Geräten verwendet zu werden. Ein wichtiger Prozess ist die Silizium/SIC-Epitaxie, bei der Silizium/SIC-Wafer auf einer Graphitbasis getragen werden. Besondere Vorteile der mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitbasis von Semicera sind die extrem hohe Reinheit, die gleichmäßige Beschichtung und die extrem lange Lebensdauer. Sie verfügen außerdem über eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität.
LED-Chip-Produktion
Während der großflächigen Beschichtung des MOCVD-Reaktors bewegt die Planetenbasis bzw. der Träger den Substratwafer. Die Leistungsfähigkeit des Grundmaterials hat großen Einfluss auf die Beschichtungsqualität, was sich wiederum auf die Ausschussrate des Spans auswirkt. Die mit Siliziumkarbid beschichtete Basis von Semicera erhöht die Fertigungseffizienz hochwertiger LED-Wafer und minimiert Wellenlängenabweichungen. Für alle aktuell im Einsatz befindlichen MOCVD-Reaktoren liefern wir auch weitere Graphitkomponenten. Wir können nahezu jedes Bauteil mit einer Siliziumkarbid-Beschichtung beschichten, selbst wenn der Bauteildurchmesser bis zu 1,5 m beträgt, können wir dennoch mit Siliziumkarbid beschichten.
Halbleiterfeld, Oxidationsdiffusionsprozess, Usw.
Im Halbleiterprozess erfordert der Oxidationsexpansionsprozess eine hohe Produktreinheit, und bei Semicera bieten wir kundenspezifische und CVD-Beschichtungsdienste für die meisten Siliziumkarbidteile an.
Das folgende Bild zeigt die grob bearbeitete Siliziumkarbid-Aufschlämmung von Semicea und das Siliziumkarbid-Ofenrohr, das im 100 gereinigt wird0-EbenestaubfreiZimmer. Unsere Mitarbeiter arbeiten vor dem Beschichten. Die Reinheit unseres Siliziumkarbids kann 99,99 % erreichen, und die Reinheit der Sic-Beschichtung liegt über 99,99995 %..
Rohes Siliziumkarbid-Paddel und SiC-Prozessrohr in der Reinigung
Siliziumkarbid-Waferboot, CVD-SiC-beschichtet
