Einführung in die Siliziumkarbidbeschichtung
Unsere Beschichtung aus Siliziumkarbid (SiC) durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) ist eine äußerst haltbare und verschleißfeste Schicht, ideal für Umgebungen, die eine hohe Korrosions- und Wärmebeständigkeit erfordern.Siliziumkarbidbeschichtungwird im CVD-Verfahren in dünnen Schichten auf verschiedene Substrate aufgetragen und bietet hervorragende Leistungseigenschaften.
Hauptmerkmale
● - Außergewöhnliche Reinheit: Mit einer hochreinen Zusammensetzung aus99,99995 %, unserSiC-Beschichtungminimiert das Kontaminationsrisiko in sensiblen Halbleiterbetrieben.
● -Überragender Widerstand: Weist eine hervorragende Verschleiß- und Korrosionsbeständigkeit auf und eignet sich daher perfekt für anspruchsvolle chemische und Plasmaumgebungen.
● -Hohe Wärmeleitfähigkeit: Gewährleistet aufgrund seiner hervorragenden thermischen Eigenschaften zuverlässige Leistung unter extremen Temperaturen.
● -Dimensionale Stabilität: Behält dank seines niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten die strukturelle Integrität über einen weiten Temperaturbereich hinweg.
● - Erhöhte Härte: Mit einem Härtegrad von40 GPaUnsere SiC-Beschichtung hält erheblichen Stößen und Abrieb stand.
● - Glatte Oberfläche: Bietet eine spiegelähnliche Oberfläche, reduziert die Partikelbildung und erhöht die Betriebseffizienz.
Anwendungen
Semicera SiC-Beschichtungenwerden in verschiedenen Phasen der Halbleiterherstellung eingesetzt, darunter:
● -Herstellung von LED-Chips
● -Polysiliziumproduktion
● -Halbleiterkristallwachstum
● -Silizium- und SiC-Epitaxie
● -Thermische Oxidation und Diffusion (TO&D)
Wir liefern SiC-beschichtete Komponenten aus hochfestem isostatischem Graphit, kohlenstofffaserverstärktem Kohlenstoff und 4N rekristallisiertem Siliziumkarbid, maßgeschneidert für Wirbelschichtreaktoren.STC-TCS-Konverter, CZ-Einheitsreflektoren, SiC-Wafer-Boot, SiC-Wafer-Paddel, SiC-Wafer-Röhre und Wafer-Träger für PECVD-, Siliziumepitaxie- und MOCVD-Prozesse.
Vorteile
● -Verlängerte Lebensdauer: Reduziert die Ausfallzeiten und Wartungskosten der Ausrüstung erheblich und steigert so die Gesamteffizienz der Produktion.
● -Verbesserte Qualität: Erzielt hochreine Oberflächen, die für die Halbleiterverarbeitung erforderlich sind, und steigert so die Produktqualität.
● -Gesteigerte Effizienz: Optimiert thermische und CVD-Prozesse, was zu kürzeren Zykluszeiten und höheren Erträgen führt.
Technische Spezifikationen
● -Struktur: Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
● -Dichte: 3,21 g/cm³
● -Härte: 2500 Vickes-Härte (500 g Belastung)
● - Bruchzähigkeit: 3,0 MPa·m1/2
● -Wärmeausdehnungskoeffizient (100–600 °C): 4,3 x 10-6k-1
● -Elastizitätsmodul(1300℃):435 GPa
● -Typische Filmdicke:100 µm
● -Oberflächenrauheit:2-10 µm
Reinheitsdaten (gemessen durch Glimmentladungs-Massenspektroskopie)
| Element | ppm | Element | ppm |
| Li | < 0,001 | Cu | < 0,01 |
| Be | < 0,001 | Zn | < 0,05 |
| Al | < 0,04 | Ga | < 0,01 |
| P | < 0,01 | Ge | < 0,05 |
| S | < 0,04 | As | < 0,005 |
| K | < 0,05 | In | < 0,01 |
| Ca | < 0,05 | Sn | < 0,01 |
| Ti | < 0,005 | Sb | < 0,01 |
| V | < 0,001 | W | < 0,05 |
| Cr | < 0,05 | Te | < 0,01 |
| Mn | < 0,005 | Pb | < 0,01 |
| Fe | < 0,05 | Bi | < 0,05 |
| Ni | < 0,01 |
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