Blau/grüne LED-Epitaxie

Kurzbeschreibung:

Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Methode auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien an, sodass spezielle Gase, die Kohlenstoff und Silizium enthalten, bei hoher Temperatur reagieren, um hochreine SiC-Moleküle zu erhalten, die sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ablagern. Bildung einer SiC-Schutzschicht.

 

Produktdetails

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Die blau/grüne LED-Epitaxie von Semicera bietet modernste Lösungen für die Hochleistungs-LED-Herstellung. Die Epitaxietechnologie für blaue/grüne LEDs von Semicera wurde zur Unterstützung fortschrittlicher epitaktischer Wachstumsprozesse entwickelt und steigert die Effizienz und Präzision bei der Herstellung blauer und grüner LEDs, die für verschiedene optoelektronische Anwendungen von entscheidender Bedeutung sind. Durch den Einsatz modernster Si-Epitaxie und SiC-Epitaxie gewährleistet diese Lösung hervorragende Qualität und Haltbarkeit.

Im Herstellungsprozess spielt der MOCVD-Suszeptor eine entscheidende Rolle, zusammen mit Komponenten wie dem PSS-Ätzträger, dem ICP-Ätzträger und dem RTP-Träger, die die epitaktische Wachstumsumgebung optimieren. Die blau/grüne LED-Epitaxie von Semicera ist darauf ausgelegt, eine stabile Unterstützung für LED-Epitaxie-Suszeptor, Barrel-Suszeptor und monokristallines Silizium zu bieten und so die Produktion konsistenter, hochwertiger Ergebnisse sicherzustellen.

Dieser Epitaxieprozess ist für die Herstellung von Photovoltaikteilen von entscheidender Bedeutung und unterstützt Anwendungen wie die GaN-auf-SiC-Epitaxie, wodurch die Gesamteffizienz des Halbleiters verbessert wird. Ob in einer Pancake Susceptor-Konfiguration oder in anderen erweiterten Konfigurationen: Semiceras Blau/Grün-LED-Epitaxielösungen bieten zuverlässige Leistung und helfen Herstellern, die wachsende Nachfrage nach hochwertigen LED-Komponenten zu erfüllen.

Hauptmerkmale:

1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen:

Die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen bis zu 1600 °C noch sehr gut.

2. Hohe Reinheit: hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.

3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.

4. Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.

 Hauptspezifikationen vonCVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur FCC-β-Phase
Dichte g/cm³ 3.21
Härte Vickershärte 2500
Körnung μm 2~10
Chemische Reinheit % 99,99995
Wärmekapazität J·kg-1 ·K-1 640
Sublimationstemperatur 2700
Biegekraft MPa (RT 4-Punkt) 415
Elastizitätsmodul Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃) 430
Wärmeausdehnung (CTE) 10-6K-1 4.5
Wärmeleitfähigkeit (W/mK) 300

 

 
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