Semicera bietet spezielle Tantalcarbid (TaC)-Beschichtungen für verschiedene Komponenten und Träger.Der führende Beschichtungsprozess von Semicera ermöglicht Tantalcarbid (TaC)-Beschichtungen, eine hohe Reinheit, hohe Temperaturstabilität und hohe chemische Toleranz zu erreichen und so die Produktqualität von SIC/GAN-Kristallen und EPI-Schichten zu verbessern (Graphitbeschichteter TaC-Suszeptor) und die Verlängerung der Lebensdauer wichtiger Reaktorkomponenten. Der Einsatz der Tantalcarbid-TaC-Beschichtung soll das Kantenproblem lösen und die Qualität des Kristallwachstums verbessern, und Semicera hat einen Durchbruch bei der Tantalcarbid-Beschichtungstechnologie (CVD) gelöst und damit das internationale Spitzenniveau erreicht.
Mit Tantalkarbid beschichtete Waferträger werden häufig bei Waferverarbeitungs- und -handhabungsprozessen in Halbleiterfertigungsprozessen eingesetzt. Sie bieten stabilen Halt und Schutz, um die Sicherheit, Genauigkeit und Konsistenz der Wafer während des Herstellungsprozesses zu gewährleisten. Tantalcarbid-Beschichtungen können die Lebensdauer des Trägers verlängern, Kosten senken und die Qualität und Zuverlässigkeit von Halbleiterprodukten verbessern.
Die Beschreibung des mit Tantalkarbid beschichteten Waferträgers lautet wie folgt:
1. Materialauswahl: Tantalcarbid ist ein Material mit hervorragender Leistung, hoher Härte, hohem Schmelzpunkt, Korrosionsbeständigkeit und hervorragenden mechanischen Eigenschaften und wird daher häufig in Halbleiterherstellungsprozessen verwendet.
2. Oberflächenbeschichtung: Durch ein spezielles Beschichtungsverfahren wird eine Tantalkarbidbeschichtung auf die Oberfläche des Waferträgers aufgetragen, um eine gleichmäßige und dichte Tantalkarbidbeschichtung zu bilden. Diese Beschichtung kann zusätzlichen Schutz und Verschleißfestigkeit bieten und weist gleichzeitig eine gute Wärmeleitfähigkeit auf.
3. Ebenheit und Präzision: Der mit Tantalkarbid beschichtete Waferträger weist ein hohes Maß an Ebenheit und Präzision auf und gewährleistet so die Stabilität und Genauigkeit der Wafer während des Herstellungsprozesses. Die Ebenheit und Beschaffenheit der Trägeroberfläche sind entscheidend, um die Qualität und Leistung des Wafers sicherzustellen.
4. Temperaturstabilität: Mit Tantalkarbid beschichtete Waferträger können ihre Stabilität in Hochtemperaturumgebungen ohne Verformung oder Lockerung aufrechterhalten und gewährleisten so die Stabilität und Konsistenz der Wafer in Hochtemperaturprozessen.
5. Korrosionsbeständigkeit: Tantalkarbidbeschichtungen weisen eine ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit auf, können der Erosion von Chemikalien und Lösungsmitteln widerstehen und den Träger vor Flüssigkeits- und Gaskorrosion schützen.
mit und ohne TaC
Nach der Verwendung von TaC (rechts)
Darüber hinaus SemicerasTaC-beschichtete Produkteweisen im Vergleich zu eine längere Lebensdauer und eine höhere Hochtemperaturbeständigkeit aufSiC-Beschichtungen.Labormessungen haben gezeigt, dass unsereTaC-Beschichtungenkann über längere Zeiträume hinweg konstant Temperaturen von bis zu 2300 Grad Celsius erbringen. Nachfolgend finden Sie einige Beispiele unserer Muster:
