Die von Semicera angebotenen Ätzringe aus massivem Siliziumkarbid (SiC) werden im CVD-Verfahren (Chemical Vapour Deposition) hergestellt und stellen ein herausragendes Ergebnis im Bereich der Präzisionsätzprozessanwendungen dar. Diese Ätzringe aus massivem Siliziumkarbid (SiC) sind für ihre hervorragende Härte, thermische Stabilität und Korrosionsbeständigkeit bekannt. Die hervorragende Materialqualität wird durch CVD-Synthese gewährleistet.
Die speziell für Ätzprozesse konzipierten Ätzringe aus massivem Siliziumkarbid (SiC) spielen aufgrund ihrer robusten Struktur und einzigartigen Materialeigenschaften eine Schlüsselrolle bei der Erzielung von Präzision und Zuverlässigkeit. Im Gegensatz zu herkömmlichen Materialien weist die massive SiC-Komponente eine beispiellose Haltbarkeit und Verschleißfestigkeit auf, was sie zu einer unverzichtbaren Komponente in Branchen macht, die Präzision und lange Lebensdauer erfordern.
Unsere Ätzringe aus massivem Siliziumkarbid (SiC) werden präzise gefertigt und qualitätskontrolliert, um ihre überragende Leistung und Zuverlässigkeit sicherzustellen. Ob in der Halbleiterfertigung oder anderen verwandten Bereichen, diese Ätzringe aus massivem Siliziumkarbid (SiC) bieten eine stabile Ätzleistung und hervorragende Ätzergebnisse.
Wenn Sie an unserem Ätzring aus massivem Siliziumkarbid (SiC) interessiert sind, kontaktieren Sie uns bitte. Unser Team stellt Ihnen detaillierte Produktinformationen und professionellen technischen Support zur Verfügung, um Ihre Anforderungen zu erfüllen. Wir freuen uns darauf, mit Ihnen eine langfristige Partnerschaft aufzubauen und gemeinsam die Entwicklung der Branche voranzutreiben.
✓Top-Qualität auf dem chinesischen Markt
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Epitaxie-Wachstumssuszeptor
Silizium-/Siliziumkarbid-Wafer müssen mehrere Prozesse durchlaufen, um in elektronischen Geräten verwendet zu werden. Ein wichtiger Prozess ist die Silizium/SIC-Epitaxie, bei der Silizium/SIC-Wafer auf einer Graphitbasis getragen werden. Besondere Vorteile der mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitbasis von Semicera sind die extrem hohe Reinheit, die gleichmäßige Beschichtung und die extrem lange Lebensdauer. Sie verfügen außerdem über eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität.
LED-Chip-Produktion
Während der großflächigen Beschichtung des MOCVD-Reaktors bewegt die Planetenbasis bzw. der Träger den Substratwafer. Die Leistungsfähigkeit des Grundmaterials hat großen Einfluss auf die Beschichtungsqualität, was sich wiederum auf die Ausschussrate des Spans auswirkt. Die mit Siliziumkarbid beschichtete Basis von Semicera erhöht die Fertigungseffizienz hochwertiger LED-Wafer und minimiert Wellenlängenabweichungen. Für alle aktuell im Einsatz befindlichen MOCVD-Reaktoren liefern wir auch weitere Graphitkomponenten. Wir können nahezu jedes Bauteil mit einer Siliziumkarbid-Beschichtung beschichten, selbst wenn der Bauteildurchmesser bis zu 1,5 m beträgt, können wir dennoch mit Siliziumkarbid beschichten.
Halbleiterfeld, Oxidationsdiffusionsprozess, Usw.
Im Halbleiterprozess erfordert der Oxidationsexpansionsprozess eine hohe Produktreinheit, und bei Semicera bieten wir kundenspezifische und CVD-Beschichtungsdienste für die meisten Siliziumkarbidteile an.
Das folgende Bild zeigt die grob bearbeitete Siliziumkarbid-Aufschlämmung von Semicea und das Siliziumkarbid-Ofenrohr, das im 100 gereinigt wird0-EbenestaubfreiZimmer. Unsere Mitarbeiter arbeiten vor dem Beschichten. Die Reinheit unseres Siliziumkarbids kann 99,99 % erreichen, und die Reinheit der Sic-Beschichtung liegt über 99,99995 %..
Rohes Siliziumkarbid-Paddel und SiC-Prozessrohr in der Reinigung
Siliziumkarbid-Waferboot, CVD-SiC-beschichtet
