Massive CVD-SiC-Ringewerden häufig in industriellen und wissenschaftlichen Bereichen in Hochtemperatur-, korrosiven und abrasiven Umgebungen eingesetzt. Es spielt in mehreren Anwendungsbereichen eine wichtige Rolle, darunter:
1. Halbleiterfertigung:Massive CVD-SiC-Ringekann zum Heizen und Kühlen von Halbleitergeräten verwendet werden und sorgt für eine stabile Temperaturkontrolle, um die Genauigkeit und Konsistenz des Prozesses sicherzustellen.
2. Optoelektronik: Aufgrund seiner hervorragenden Wärmeleitfähigkeit und hohen TemperaturbeständigkeitMassive CVD-SiC-Ringekönnen als Träger- und Wärmeableitungsmaterialien für Laser, faseroptische Kommunikationsgeräte und optische Komponenten verwendet werden.
3. Präzisionsmaschinen: Massive CVD-SiC-Ringe können für Präzisionsinstrumente und -geräte in Hochtemperatur- und korrosiven Umgebungen wie Hochtemperaturöfen, Vakuumgeräten und chemischen Reaktoren verwendet werden.
4. Chemische Industrie: Massive CVD-SiC-Ringe können aufgrund ihrer Korrosionsbeständigkeit und chemischen Stabilität in Behältern, Rohren und Reaktoren bei chemischen Reaktionen und katalytischen Prozessen eingesetzt werden.
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Epitaxie-Wachstumssuszeptor
Silizium-/Siliziumkarbid-Wafer müssen mehrere Prozesse durchlaufen, um in elektronischen Geräten verwendet zu werden. Ein wichtiger Prozess ist die Silizium/SIC-Epitaxie, bei der Silizium/SIC-Wafer auf einer Graphitbasis getragen werden. Besondere Vorteile der mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitbasis von Semicera sind die extrem hohe Reinheit, die gleichmäßige Beschichtung und die extrem lange Lebensdauer. Sie verfügen außerdem über eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität.
LED-Chip-Produktion
Während der großflächigen Beschichtung des MOCVD-Reaktors bewegt die Planetenbasis bzw. der Träger den Substratwafer. Die Leistungsfähigkeit des Grundmaterials hat großen Einfluss auf die Beschichtungsqualität, was sich wiederum auf die Ausschussrate des Spans auswirkt. Die mit Siliziumkarbid beschichtete Basis von Semicera erhöht die Fertigungseffizienz hochwertiger LED-Wafer und minimiert Wellenlängenabweichungen. Für alle aktuell im Einsatz befindlichen MOCVD-Reaktoren liefern wir auch weitere Graphitkomponenten. Wir können nahezu jedes Bauteil mit einer Siliziumkarbid-Beschichtung beschichten, selbst wenn der Bauteildurchmesser bis zu 1,5 m beträgt, können wir dennoch mit Siliziumkarbid beschichten.
Halbleiterfeld, Oxidationsdiffusionsprozess, Usw.
Im Halbleiterprozess erfordert der Oxidationsexpansionsprozess eine hohe Produktreinheit, und bei Semicera bieten wir kundenspezifische und CVD-Beschichtungsdienste für die meisten Siliziumkarbidteile an.
Das folgende Bild zeigt die grob bearbeitete Siliziumkarbid-Aufschlämmung von Semicea und das Siliziumkarbid-Ofenrohr, das im 100 gereinigt wird0-EbenestaubfreiZimmer. Unsere Mitarbeiter arbeiten vor dem Beschichten. Die Reinheit unseres Siliziumkarbids kann 99,99 % erreichen, und die Reinheit der Sic-Beschichtung liegt über 99,99995 %..
Rohes Siliziumkarbid-Paddel und SiC-Prozessrohr in der Reinigung
Siliziumkarbid-Waferboot, CVD-SiC-beschichtet
