Horizontale Bootsplatte aus Siliziumkarbid

Kurze Beschreibung:

Semicera bietet Waferboote an, Halterund kundenspezifische Waferträger für vertikale/Säulen- und horizontale Konfigurationen.Fortschrittliche Keramik bietet eine hervorragende Hitzebeständigkeit und Plasmabeständigkeit und reduziert gleichzeitig Partikel und Schadstoffe.Siliziumkarbid (SiC) in Halbleiterqualität bietet außerdem Hochtemperaturfestigkeit für Waferträger mit hoher Kapazität.

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Produktdetail

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Wir stellen Ihnen unsere hochmoderne horizontale Bootsplatte aus Siliziumkarbid vor, die sorgfältig für die Waferverarbeitungsanwendungen der Halbleiterindustrie entwickelt wurde.Unsere aus feinstem Siliziumkarbid gefertigte horizontale Bootsplatte zeichnet sich durch hervorragende thermische Eigenschaften, chemische Beständigkeit und mechanische Festigkeit aus.Diese Bootsplatte eignet sich ideal für Hochtemperaturprozesse und ist auf außergewöhnliche Leistung sowie Präzision und Effizienz bei jedem Einsatz ausgelegt.

Hauptmerkmale

Außergewöhnliche Haltbarkeit:Hergestellt aus hochreinem Siliziumkarbid, unserem Bootsplatteist so konstruiert, dass es extremen Temperaturen von bis zu standhält1600°C und bietet beispiellose Haltbarkeit und Lebensdauer.

Gleichmäßige Wärmeverteilung:Die Wärmeleitfähigkeit von Siliziumkarbid sorgt für eine gleichmäßige Wärmeverteilung auf der Platte, was für die Aufrechterhaltung der Prozesskonsistenz und die Erzielung einer qualitativ hochwertigen Waferproduktion von entscheidender Bedeutung ist.

Chemische Resistenz:Unsere Bootsplatte ist beständig gegen korrosive Chemikalien und raue Umgebungen und behält ihre Integrität und Leistung auch in den anspruchsvollsten Halbleiterverarbeitungsanwendungen bei.

Hohe mechanische Festigkeit:Die robuste Konstruktion unseresBootsplattegarantiert eine hervorragende mechanische Festigkeit und Verschleißfestigkeit, wodurch das Risiko von Schäden und die Notwendigkeit eines häufigen Austauschs verringert wird.

Anwendungen:

UnserHorizontale Bootsplatte aus Siliziumkarbideignet sich perfekt für eine Vielzahl von Hochtemperaturprozessen in der Halbleiterfertigung, einschließlich, aber nicht beschränkt auf Diffusions-, Oxidations-, Ionenimplantations- und CVD-Prozesse.Sein Design und seine Materialien stellen sicher, dass es die genauen Anforderungen der Waferverarbeitung erfüllen kann, was es zu einer wesentlichen Komponente für Halbleiterproduktionslinien macht.

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