SemicerasSiliziumkarbid-Epitaxiewurde entwickelt, um den strengen Anforderungen moderner Halbleiteranwendungen gerecht zu werden. Durch den Einsatz fortschrittlicher epitaktischer Wachstumstechniken stellen wir sicher, dass jede Siliziumkarbidschicht eine außergewöhnliche Kristallqualität, Gleichmäßigkeit und minimale Defektdichte aufweist. Diese Eigenschaften sind entscheidend für die Entwicklung leistungsstarker Leistungselektronik, bei der Effizienz und Wärmemanagement im Vordergrund stehen.
DerSiliziumkarbid-EpitaxieDer Prozess bei Semicera ist für die Herstellung epitaktischer Schichten mit präziser Dicke und Dotierungskontrolle optimiert und gewährleistet so eine gleichbleibende Leistung über eine Reihe von Geräten hinweg. Dieses Maß an Präzision ist für Anwendungen in Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energiesystemen und Hochfrequenzkommunikation von entscheidender Bedeutung, bei denen Zuverlässigkeit und Effizienz von entscheidender Bedeutung sind.
Darüber hinaus SemicerasSiliziumkarbid-Epitaxiebietet eine verbesserte Wärmeleitfähigkeit und eine höhere Durchbruchspannung und ist damit die bevorzugte Wahl für Geräte, die unter extremen Bedingungen betrieben werden. Diese Eigenschaften tragen zu einer längeren Gerätelebensdauer und einer verbesserten Gesamtsystemeffizienz bei, insbesondere in Umgebungen mit hoher Leistung und hohen Temperaturen.
Semicera bietet auch Anpassungsoptionen fürSiliziumkarbid-EpitaxieDies ermöglicht maßgeschneiderte Lösungen, die spezifische Geräteanforderungen erfüllen. Ob für die Forschung oder die Massenproduktion – unsere Epitaxieschichten sind darauf ausgelegt, die nächste Generation von Halbleiterinnovationen zu unterstützen und die Entwicklung leistungsfähigerer, effizienterer und zuverlässigerer elektronischer Geräte zu ermöglichen.
Durch die Integration modernster Technologie und strenger Qualitätskontrollprozesse stellt Semicera sicher, dass unsereSiliziumkarbid-EpitaxieProdukte erfüllen nicht nur die Industriestandards, sondern übertreffen sie sogar. Dieses Streben nach Exzellenz macht unsere Epitaxieschichten zur idealen Grundlage für fortschrittliche Halbleiteranwendungen und ebnet den Weg für Durchbrüche in der Leistungselektronik und Optoelektronik.
| Artikel | Produktion | Forschung | Dummy |
| Kristallparameter | |||
| Polytypie | 4H | ||
| Fehler bei der Oberflächenausrichtung | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische Parameter | |||
| Dotierstoff | Stickstoff vom n-Typ | ||
| Widerstand | 0,015–0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanische Parameter | |||
| Durchmesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primäre flache Ausrichtung | [1-100]±5° | ||
| Primäre flache Länge | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Zweitwohnung | Keiner | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Bogen | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Kette | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikrorohrdichte | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallverunreinigungen | ≤5E10Atome/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Vordere Qualität | |||
| Front | Si | ||
| Oberflächenbeschaffenheit | Si-Face-CMP | ||
| Partikel | ≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser | Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser | NA |
| Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung | Keiner | NA | |
| Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten | Keiner | ||
| Polytypiebereiche | Keiner | Kumulierte Fläche ≤ 20 % | Kumulierte Fläche ≤ 30 % |
| Lasermarkierung vorne | Keiner | ||
| Zurück Qualität | |||
| Hinterer Abschluss | C-Gesichts-CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser | NA | |
| Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen) | Keiner | ||
| Rückenrauheit | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkierung auf der Rückseite | 1 mm (ab Oberkante) | ||
| Rand | |||
| Rand | Fase | ||
| Verpackung | |||
| Verpackung | Epi-ready mit Vakuumverpackung Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten | ||
| *Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD. | |||
