Beschreibung
Die SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren von Semicera werden unter Verwendung hochwertiger Graphitsubstrate hergestellt, die durch fortschrittliche chemische Gasphasenabscheidungsprozesse (CVD) sorgfältig mit Siliziumkarbid (SiC) beschichtet werden. Dieses innovative Design gewährleistet eine außergewöhnliche Beständigkeit gegen Temperaturschocks und chemische Zersetzung, verlängert die Lebensdauer des SiC-beschichteten Graphitsuszeptors erheblich und garantiert eine zuverlässige Leistung während des gesamten Halbleiterherstellungsprozesses.
Hauptmerkmale:
1. Überlegene WärmeleitfähigkeitDer mit SiC beschichtete Graphit-Suszeptor weist eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit auf, die für eine effiziente Wärmeableitung bei der Halbleiterfertigung von entscheidender Bedeutung ist. Diese Funktion minimiert Wärmegradienten auf der Waferoberfläche und fördert eine gleichmäßige Temperaturverteilung, die für die Erzielung der gewünschten Halbleitereigenschaften unerlässlich ist.
2. Robuste chemische und thermische SchockbeständigkeitDie SiC-Beschichtung bietet hervorragenden Schutz gegen chemische Korrosion und Thermoschocks und bewahrt die Integrität des Graphit-Suszeptors auch in rauen Verarbeitungsumgebungen. Diese verbesserte Haltbarkeit reduziert Ausfallzeiten und verlängert die Lebensdauer, was zu einer höheren Produktivität und Kosteneffizienz in Halbleiterfertigungsanlagen beiträgt.
3. Anpassung an spezifische BedürfnisseUnsere SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren können an spezifische Anforderungen und Vorlieben angepasst werden. Wir bieten eine Reihe von Anpassungsoptionen, einschließlich Größenanpassungen und Variationen der Beschichtungsdicke, um Designflexibilität und optimierte Leistung für verschiedene Anwendungen und Prozessparameter zu gewährleisten.
Anwendungen:
AnwendungenSemicera SiC-Beschichtungen werden in verschiedenen Phasen der Halbleiterherstellung eingesetzt, darunter:
1. -LED-Chip-Herstellung
2. -Polysiliziumproduktion
3. -Halbleiterkristallwachstum
4. -Silizium- und SiC-Epitaxie
5. -Thermische Oxidation und Diffusion (TO&D)
Technische Spezifikationen:
