Semicera Semicera bietet spezielle Tantalcarbid (TaC)-Beschichtungen für verschiedene Komponenten und Träger.Semicera Semiceras führender Beschichtungsprozess ermöglicht Tantalcarbid (TaC)-Beschichtungen, um eine hohe Reinheit, hohe Temperaturstabilität und hohe chemische Toleranz zu erreichen und so die Produktqualität von SIC/GAN-Kristallen und EPI-Schichten zu verbessern (Graphitbeschichteter TaC-Suszeptor) und die Verlängerung der Lebensdauer wichtiger Reaktorkomponenten. Die Verwendung einer Tantalkarbid-TaC-Beschichtung soll das Kantenproblem lösen und die Qualität des Kristallwachstums verbessern, und Semicera Semicera hat einen Durchbruch bei der Tantalkarbid-Beschichtungstechnologie (CVD) gelöst und damit das internationale Spitzenniveau erreicht.
Nach Jahren der Entwicklung hat Semicera die Technologie erobertCVD TaCmit den gemeinsamen Anstrengungen der Forschungs- und Entwicklungsabteilung. Während des Wachstumsprozesses von SiC-Wafern, aber auch nach der Verwendung, können leicht Defekte auftretenTaC, der Unterschied ist erheblich. Nachfolgend finden Sie einen Vergleich von Wafern mit und ohne TaC sowie Simicera-Teilen für die Einkristallzüchtung.
mit und ohne TaC
Nach der Verwendung von TaC (rechts)
Darüber hinaus SemicerasTaC-beschichtete Produkteweisen im Vergleich zu eine längere Lebensdauer und eine höhere Hochtemperaturbeständigkeit aufSiC-Beschichtungen.Labormessungen haben gezeigt, dass unsereTaC-Beschichtungenkann über längere Zeiträume hinweg konstant Temperaturen von bis zu 2300 Grad Celsius erbringen. Nachfolgend finden Sie einige Beispiele unserer Muster:
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Hochreiner, poröser, mit Tantalkarbid beschichteter Lauf
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Wärmefeldmaterial für Siliziumkarbidkristalle ...
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CVD-Tantalkarbid-beschichtetes Halbmondteil
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Maßgeschneiderter, mit Tantalkarbid beschichteter Ring
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Mit Tantalkarbid beschichteter Graphitring
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Kundenspezifische Produktanpassung aus hochreinem Tantalkarbid