Siliziumkarbidbeschichtete Scheibe für MOCVD

DerSiliziumkarbidscheibefür MOCVD von semicera, eine Hochleistungslösung für optimale Effizienz bei epitaktischen Wachstumsprozessen. Die Semicera-Siliziumkarbidscheibe bietet außergewöhnliche thermische Stabilität und Präzision und ist damit ein wesentlicher Bestandteil bei Si-Epitaxie- und SiC-Epitaxie-Prozessen. Diese Scheibe wurde entwickelt, um den hohen Temperaturen und anspruchsvollen Bedingungen von MOCVD-Anwendungen standzuhalten und gewährleistet zuverlässige Leistung und Langlebigkeit.

Unsere Siliziumkarbidscheibe ist mit einer Vielzahl von MOCVD-Aufbauten kompatibel, darunterMOCVD-SuszeptorSysteme und unterstützt fortschrittliche Prozesse wie GaN auf SiC-Epitaxie. Es lässt sich außerdem problemlos in die Systeme PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier und RTP Carrier integrieren und verbessert so die Präzision und Qualität Ihrer Fertigungsergebnisse. Ob für die Produktion von monokristallinem Silizium oder für LED-Epitaxie-Suszeptor-Anwendungen, diese Scheibe sorgt für außergewöhnliche Ergebnisse.

Darüber hinaus lässt sich die Siliziumkarbidscheibe von Semicera an verschiedene Konfigurationen anpassen, einschließlich Pancake-Suszeptor- und Barrel-Suszeptor-Aufbauten, und bietet so Flexibilität in verschiedenen Fertigungsumgebungen. Die Einbeziehung von Photovoltaik-Teilen weitet ihre Anwendung auf die Solarenergieindustrie aus und macht sie zu einer vielseitigen und unverzichtbaren Komponente für moderneepitaktischWachstum und Halbleiterfertigung.