SiC-beschichtete Graphitbasis-Suszeptoren für MOCVD

SiC-beschichtete Graphitbasis-Suszeptorenfür MOCVD von semicera wurden entwickelt, um außergewöhnliche Leistung bei epitaktischen Wachstumsprozessen zu bieten. Die hochwertige Siliziumkarbid-Beschichtung auf der Graphitbasis sorgt für Stabilität, Haltbarkeit und optimale Wärmeleitfähigkeit bei MOCVD-Vorgängen (Metal Organic Chemical Vapour Deposition). Durch den Einsatz der innovativen Suszeptortechnologie von Semicera können Sie eine höhere Präzision und Effizienz erreichenSi-EpitaxieUndSiC-EpitaxieAnwendungen.

DieseMOCVD-Suszeptorensind so konzipiert, dass sie eine Reihe wesentlicher Halbleiterkomponenten unterstützen, wie zPSS-Ätzträger, ICP-Ätzträger, UndRTP-TrägerDadurch sind sie vielseitig für verschiedene Ätz- und Epitaxieaufgaben geeignet. Semiceras Engagement für hohe Standards stellt sicher, dass diese Suszeptoren den strengen Anforderungen der modernen Halbleiterproduktion gerecht werden.

Ideal für den Einsatz inLED EpitaxieSuszeptor-, Barrel-Suszeptor- und monokristalline Siliziumprozesse können diese Suszeptoren für verschiedene Wafergrößen angepasst werden, einschließlich Pancake-Suszeptor-Konfigurationen. Darüber hinaus sind sie äußerst effektiv im Umgang mit Photovoltaikteilen, was sie zu einem entscheidenden Bestandteil bei der Entwicklung effizienter Solarzellen macht.

Darüber hinaus sind SiC-beschichtete Graphitbasis-Suszeptoren für MOCVD für GaN auf SiC-Epitaxie optimiert und bieten eine hohe Kompatibilität mit fortschrittlichen Halbleitermaterialien. Unabhängig davon, ob Sie sich auf die Verbesserung der Erträge oder die Verbesserung der Qualität des epitaktischen Wachstums konzentrieren, bieten die Suszeptoren von Semicera die Zuverlässigkeit und Leistung, die für den Erfolg in High-Tech-Industrien erforderlich sind.