SiC-beschichteter Tief-UV-LED-Suszeptor – Fortschrittliche MOCVD-Komponente für Hochleistungsepitaxie
Überblick:Der SiC-beschichtete Deep-UV-LED-Suszeptor ist eine entscheidende Komponente in MOCVD-Prozessen (Metal-Organic Chemical Vapour Deposition) und wurde speziell für die Unterstützung eines effizienten und stabilen Epitaxieschichtwachstums von Deep-UV-LEDs entwickelt. Bei Semicera sind wir ein führender Hersteller und Lieferant von SiC-beschichteten Suszeptoren und bieten Produkte an, die den höchsten Industriestandards entsprechen. Dank jahrelanger Erfahrung und langfristigen Partnerschaften mit führenden Herstellern von LED-Epitaxie genießen unsere Suszeptorlösungen weltweit Vertrauen.
Hauptmerkmale und Vorteile:
▪Optimiert für Deep-UV-LED-Epitaxie:Speziell entwickelt für das leistungsstarke epitaktische Wachstum von LEDs im tiefen UV-Bereich, einschließlich solcher im Wellenlängenbereich <260 nm (verwendet bei der UV-C-Desinfektion, Sterilisation und anderen Anwendungen).
▪Material & Beschichtung:Hergestellt aus hochwertigem SGL-Graphit, beschichtet mitCVD-SiC, was eine hervorragende Beständigkeit gegen NH3, HCl und Umgebungen mit hohen Temperaturen gewährleistet. Diese langlebige Beschichtung verbessert die Leistung und Langlebigkeit.
▪Präzises Wärmemanagement:Fortschrittliche Verarbeitungstechniken sorgen für eine gleichmäßige Wärmeverteilung, verhindern Temperaturgradienten, die das Wachstum der Epitaxieschicht beeinträchtigen könnten, und verbessern die Gleichmäßigkeit und Materialqualität.
▪ Wärmeausdehnungskompatibilität:Entspricht dem Wärmeausdehnungskoeffizienten von AlN/GaN-Epitaxiewafern und minimiert so das Risiko einer Waferverformung oder -rissbildung während des ProzessesMOCVDVerfahren.
Anpassbar an führende MOCVD-Geräte: Kompatibel mit führenden MOCVD-Systemen wie Veeco K465i, EPIK 700 und Aixtron Crius, unterstützt Wafergrößen von 2 bis 8 Zoll und bietet maßgeschneiderte Lösungen für Schlitzdesign, Prozesstemperatur und andere Parameter.
Anwendungen:
▪ Herstellung von LEDs mit tiefem UV-Licht:Ideal für die Epitaxie von Deep-UV-LEDs, die in Anwendungen wie der UV-C-Desinfektion und -Sterilisation eingesetzt werden.
▪ Nitrid-Halbleiter-Epitaxie:Geeignet für epitaktische GaN- und AlN-Prozesse bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen.
▪ Forschung & Entwicklung:Unterstützung fortschrittlicher Epitaxieexperimente für Universitäten und Forschungseinrichtungen mit Schwerpunkt auf Materialien im tiefen UV-Bereich und neuen Technologien.
Warum Semicera wählen?
▪ Bewährte Qualität:UnserSiC-beschichtetTief-UV-LED-Suszeptoren werden einer strengen Überprüfung unterzogen, um sicherzustellen, dass sie der Leistung internationaler Spitzenhersteller entsprechen.
▪ Maßgeschneiderte Lösungen:Wir bieten maßgeschneiderte Produkte an, die auf die individuellen Bedürfnisse unserer Kunden zugeschnitten sind und optimale Leistung und langfristige Zuverlässigkeit gewährleisten.
▪ Globale Expertise:Als vertrauenswürdiger Partner vielerLED-EpitaxieAls Hersteller von Herstellern auf der ganzen Welt bringt Semicera modernste Technologie und einen großen Erfahrungsschatz in jedes Projekt ein.
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