Semicera ist selbst entwickeltSiC-Keramik-Dichtungsteilist so konzipiert, dass es den hohen Standards der modernen Halbleiterfertigung entspricht. Dieses Dichtungsteil ist leistungsstarkSiliziumkarbid (SiC)Material mit ausgezeichneter Verschleißfestigkeit und chemischer Stabilität, um eine hervorragende Dichtungsleistung in extremen Umgebungen zu gewährleisten. Kombiniert mitAluminiumoxid (Al2O3)UndSiliziumnitrid (Si3N4)Dieses Teil eignet sich gut für Hochtemperaturanwendungen und kann das Austreten von Gas und Flüssigkeit wirksam verhindern.
Bei Verwendung in Verbindung mit Geräten wie zWaffelbooteund Waferträger von SemiceraSiC-Keramik-Dichtungsteilkann die Effizienz und Zuverlässigkeit des Gesamtsystems deutlich verbessern. Seine hervorragende Temperaturbeständigkeit und Korrosionsbeständigkeit machen es zu einem unverzichtbaren Bestandteil in der hochpräzisen Halbleiterfertigung und sorgen für Stabilität und Sicherheit während des Produktionsprozesses.
Darüber hinaus wurde das Design dieses Dichtungsteils sorgfältig optimiert, um die Kompatibilität mit einer Vielzahl von Geräten zu gewährleisten und den Einsatz in verschiedenen Produktionslinien zu vereinfachen. Das Forschungs- und Entwicklungsteam von Semicera arbeitet weiterhin hart daran, technologische Innovationen voranzutreiben, um die Wettbewerbsfähigkeit seiner Produkte in der Branche sicherzustellen.
Die Wahl liegt bei SemiceraSiC-Keramik-Dichtungsteilerhalten Sie eine Kombination aus hoher Leistung und Zuverlässigkeit, die Ihnen hilft, effizientere Produktionsprozesse und eine hervorragende Produktqualität zu erreichen. Semicera ist stets bestrebt, seinen Kunden die besten Halbleiterlösungen und -dienstleistungen zu bieten, um die kontinuierliche Entwicklung und den Fortschritt der Branche zu fördern.
✓Top-Qualität auf dem chinesischen Markt
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✓Kleine MOQ willkommen und akzeptiert
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Epitaxie-Wachstumssuszeptor
Silizium-/Siliziumkarbid-Wafer müssen mehrere Prozesse durchlaufen, um in elektronischen Geräten verwendet zu werden. Ein wichtiger Prozess ist die Silizium/SIC-Epitaxie, bei der Silizium/SIC-Wafer auf einer Graphitbasis getragen werden. Besondere Vorteile der mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitbasis von Semicera sind die extrem hohe Reinheit, die gleichmäßige Beschichtung und die extrem lange Lebensdauer. Sie verfügen außerdem über eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität.
LED-Chip-Produktion
Während der großflächigen Beschichtung des MOCVD-Reaktors bewegt die Planetenbasis bzw. der Träger den Substratwafer. Die Leistungsfähigkeit des Grundmaterials hat großen Einfluss auf die Beschichtungsqualität, was sich wiederum auf die Ausschussrate des Spans auswirkt. Die mit Siliziumkarbid beschichtete Basis von Semicera erhöht die Fertigungseffizienz hochwertiger LED-Wafer und minimiert Wellenlängenabweichungen. Für alle aktuell im Einsatz befindlichen MOCVD-Reaktoren liefern wir auch weitere Graphitkomponenten. Wir können nahezu jedes Bauteil mit einer Siliziumkarbid-Beschichtung beschichten, selbst wenn der Bauteildurchmesser bis zu 1,5 m beträgt, können wir dennoch mit Siliziumkarbid beschichten.
Halbleiterfeld, Oxidationsdiffusionsprozess, Usw.
Im Halbleiterprozess erfordert der Oxidationsexpansionsprozess eine hohe Produktreinheit, und bei Semicera bieten wir kundenspezifische und CVD-Beschichtungsdienste für die meisten Siliziumkarbidteile an.
Das folgende Bild zeigt die grob bearbeitete Siliziumkarbid-Aufschlämmung von Semicea und das Siliziumkarbid-Ofenrohr, das im 100 gereinigt wird0-EbenestaubfreiZimmer. Unsere Mitarbeiter arbeiten vor dem Beschichten. Die Reinheit unseres Siliziumkarbids kann 99,99 % erreichen, und die Reinheit der Sic-Beschichtung liegt über 99,99995 %..
Rohes Siliziumkarbid-Paddel und SiC-Prozessrohr in der Reinigung
Siliziumkarbid-Waferboot, CVD-SiC-beschichtet
