Semicerastellt seine hohe Qualität vorSi-EpitaxieDienstleistungen, die darauf ausgelegt sind, die hohen Standards der heutigen Halbleiterindustrie zu erfüllen. Epitaktische Siliziumschichten sind für die Leistung und Zuverlässigkeit elektronischer Geräte von entscheidender Bedeutung. Unsere Si-Epitaxie-Lösungen stellen sicher, dass Ihre Komponenten eine optimale Funktionalität erreichen.
Präzisionsgewachsene Siliziumschichten Semiceraist sich bewusst, dass die Grundlage leistungsstarker Geräte in der Qualität der verwendeten Materialien liegt. UnserSi-EpitaxieDer Prozess wird sorgfältig kontrolliert, um Siliziumschichten mit außergewöhnlicher Gleichmäßigkeit und Kristallintegrität zu erzeugen. Diese Schichten sind für Anwendungen von der Mikroelektronik bis hin zu fortschrittlichen Leistungsgeräten unerlässlich, bei denen Konsistenz und Zuverlässigkeit von größter Bedeutung sind.
Optimiert für GeräteleistungDerSi-EpitaxieDie von Semicera angebotenen Dienstleistungen sind darauf zugeschnitten, die elektrischen Eigenschaften Ihrer Geräte zu verbessern. Durch das Aufwachsen hochreiner Siliziumschichten mit geringer Defektdichte stellen wir sicher, dass Ihre Komponenten die beste Leistung erbringen, mit verbesserter Ladungsträgermobilität und minimiertem elektrischem Widerstand. Diese Optimierung ist entscheidend für die Erreichung der von der modernen Technologie geforderten Hochgeschwindigkeits- und Effizienzeigenschaften.
Vielseitigkeit in den Anwendungen Semicera'SSi-Epitaxieeignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich der Herstellung von CMOS-Transistoren, Leistungs-MOSFETs und Bipolartransistoren. Unser flexibler Prozess ermöglicht eine individuelle Anpassung an die spezifischen Anforderungen Ihres Projekts, unabhängig davon, ob Sie dünne Schichten für Hochfrequenzanwendungen oder dickere Schichten für Leistungsgeräte benötigen.
Überlegene MaterialqualitätQualität steht im Mittelpunkt unseres Handelns bei Semicera. UnserSi-EpitaxieDer Prozess nutzt modernste Geräte und Techniken, um sicherzustellen, dass jede Siliziumschicht den höchsten Standards an Reinheit und struktureller Integrität entspricht. Diese Liebe zum Detail minimiert das Auftreten von Fehlern, die sich auf die Geräteleistung auswirken könnten, was zu zuverlässigeren und langlebigeren Komponenten führt.
Engagement für Innovation Semiceraist bestrebt, an der Spitze der Halbleitertechnologie zu bleiben. UnserSi-EpitaxieDie Dienstleistungen spiegeln dieses Engagement wider und umfassen die neuesten Fortschritte in der Epitaxie-Wachstumstechnik. Wir verfeinern unsere Prozesse kontinuierlich, um Siliziumschichten zu liefern, die den sich ändernden Anforderungen der Branche gerecht werden und sicherstellen, dass Ihre Produkte auf dem Markt wettbewerbsfähig bleiben.
Maßgeschneiderte Lösungen für Ihre BedürfnisseWir verstehen, dass jedes Projekt einzigartig ist,SemiceraAngebote maßgeschneidertSi-EpitaxieLösungen, die Ihren spezifischen Anforderungen entsprechen. Unabhängig davon, ob Sie bestimmte Dotierungsprofile, Schichtdicken oder Oberflächenveredelungen benötigen, arbeitet unser Team eng mit Ihnen zusammen, um ein Produkt zu liefern, das genau Ihren Spezifikationen entspricht.
Artikel | Produktion | Forschung | Dummy |
Kristallparameter | |||
Polytypie | 4H | ||
Fehler bei der Oberflächenausrichtung | <11-20 >4±0,15° | ||
Elektrische Parameter | |||
Dotierstoff | Stickstoff vom n-Typ | ||
Widerstand | 0,015–0,025 Ohm·cm | ||
Mechanische Parameter | |||
Durchmesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Dicke | 350 ± 25 μm | ||
Primäre flache Ausrichtung | [1-100]±5° | ||
Primäre flache Länge | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Zweitwohnung | Keiner | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
Bogen | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Kette | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Struktur | |||
Mikrorohrdichte | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
Metallverunreinigungen | ≤5E10Atome/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Vordere Qualität | |||
Front | Si | ||
Oberflächenbeschaffenheit | Si-Face-CMP | ||
Partikel | ≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm) | NA | |
Kratzer | ≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser | Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser | NA |
Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung | Keiner | NA | |
Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten | Keiner | ||
Polytypiebereiche | Keiner | Kumulierte Fläche ≤ 20 % | Kumulierte Fläche ≤ 30 % |
Lasermarkierung vorne | Keiner | ||
Zurück Qualität | |||
Hinterer Abschluss | C-Gesichts-CMP | ||
Kratzer | ≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser | NA | |
Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen) | Keiner | ||
Rückenrauheit | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Lasermarkierung auf der Rückseite | 1 mm (ab Oberkante) | ||
Rand | |||
Rand | Fase | ||
Verpackung | |||
Verpackung | Epi-ready mit Vakuumverpackung Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten | ||
*Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD. |