Semicera bietet spezielle Tantalcarbid (TaC)-Beschichtungen für verschiedene Komponenten und Träger.Der führende Beschichtungsprozess von Semicera ermöglicht Tantalcarbid (TaC)-Beschichtungen, eine hohe Reinheit, hohe Temperaturstabilität und hohe chemische Toleranz zu erreichen und so die Produktqualität von SIC/GAN-Kristallen und EPI-Schichten zu verbessern (Graphitbeschichteter TaC-Suszeptor) und die Verlängerung der Lebensdauer wichtiger Reaktorkomponenten. Der Einsatz der Tantalcarbid-TaC-Beschichtung soll das Kantenproblem lösen und die Qualität des Kristallwachstums verbessern, und Semicera hat einen Durchbruch bei der Tantalcarbid-Beschichtungstechnologie (CVD) gelöst und damit das internationale Spitzenniveau erreicht.
Nach Jahren der Entwicklung hat Semicera die Technologie erobertCVD TaCmit den gemeinsamen Anstrengungen der Forschungs- und Entwicklungsabteilung. Während des Wachstumsprozesses von SiC-Wafern, aber auch nach der Verwendung, können leicht Defekte auftretenTaC, der Unterschied ist erheblich. Nachfolgend finden Sie einen Vergleich von Wafern mit und ohne TaC sowie von Semicera-Teilen für die Einkristallzüchtung
mit und ohne TaC
Nach der Verwendung von TaC (rechts)
Darüber hinaus ist die Lebensdauer der TaC-Beschichtungsprodukte von Semicera länger und widerstandsfähiger gegenüber hohen Temperaturen als die der SiC-Beschichtung. Nach langen Labormessdaten kann unser TaC lange Zeit bei maximal 2300 Grad Celsius arbeiten. Im Folgenden finden Sie einige unserer Beispiele:
(a) Schematische Darstellung einer Vorrichtung zum Züchten von SiC-Einkristallbarren mittels PVT-Methode (b) Obere TaC-beschichtete Keimhalterung (einschließlich SiC-Keim) (c) TAC-beschichteter Graphitführungsring
