Beschreibung
Der Graphit-Suszeptor mitSiliziumkarbid-Beschichtung, 6 Stück6-Zoll-Waferträgervon Semicera bietet außergewöhnliche Haltbarkeit und Wärmeleitfähigkeit für leistungsstarke epitaktische Wachstumsanwendungen. Semicera ist auf fortschrittliche Suszeptoren spezialisiert, die zur Verbesserung von Prozessen wie zSi-EpitaxieUndSiC-Epitaxie, was eine zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Halbleiterumgebungen gewährleistet.
Dieser Suszeptor wurde speziell für die Verwendung mit entwickeltMOCVD-SuszeptorSysteme und bietet Kompatibilität mit verschiedenen Trägern wie dem PSS Etching Carrier, dem ICP Etching Carrier und dem RTP Carrier. Es eignet sich ideal für die Produktion von monokristallinem Silizium und LED-Epitaxial-Suszeptor-Setups und bietet Vielseitigkeit in verschiedenen Konfigurationen, einschließlich Barrel-Suszeptor- und Pancake-Suszeptor-Designs.
Der Graphitsuszeptor mit Siliziumkarbidbeschichtung unterstützt durch seine Integration mit Photovoltaikteilen auch Anwendungen im Solarenergiesektor und zeichnet sich durch GaN-auf-SiC-Epitaxieprozesse aus. Seine 6-Zoll-Waferträgerkapazität gewährleistet einen hohen Durchsatz und macht ihn zu einem unverzichtbaren Werkzeug für Hersteller in der Halbleiter- und Photovoltaikindustrie.
Hauptmerkmale
1. Hochreiner SiC-beschichteter Graphit
2. Überlegene Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit
3. GutSiC-kristallbeschichtetfür eine glatte Oberfläche
4. Hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung
Hauptspezifikationen von CVD-SIC-Beschichtungen:
| SiC-CVD | ||
| Dichte | (g/cc) | 3.21 |
| Biegefestigkeit | (MPa) | 470 |
| Wärmeausdehnung | (10-6/K) | 4 |
| Wärmeleitfähigkeit | (W/mK) | 300 |
Verpackung und Versand
Lieferfähigkeit:
10000 Stück/Stücke pro Monat
Verpackung & Lieferung:
Verpackung: Standard- und starke Verpackung
Polybeutel + Karton + Karton + Palette
Hafen:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Vorlaufzeit:
| Menge (Stück) | 1-1000 | >1000 |
| Schätzung: Zeit (Tage) | 30 | Zu verhandeln |
