Gute Stabilität, hochtemperaturbeständiges Siliziumkarbid-Ofenrohr

Kurze Beschreibung:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. ist ein führender Anbieter, der sich auf Wafer und fortschrittliche Halbleiter-Verbrauchsmaterialien spezialisiert hat.Wir widmen uns der Bereitstellung qualitativ hochwertiger, zuverlässiger und innovativer Produkte für die Halbleiterfertigung.Photovoltaikindustrieund anderen verwandten Bereichen.

Unsere Produktlinie umfasst SiC/TaC-beschichtete Graphitprodukte und Keramikprodukte, die verschiedene Materialien wie Siliziumkarbid, Siliziumnitrid und Aluminiumoxid usw. umfassen.

Als vertrauenswürdiger Lieferant verstehen wir die Bedeutung von Verbrauchsmaterialien im Herstellungsprozess und sind bestrebt, Produkte zu liefern, die den höchsten Qualitätsstandards entsprechen, um die Bedürfnisse unserer Kunden zu erfüllen.


Produktdetail

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Siliziumkarbid ist eine neue Art von Keramik mit hoher Kostenleistung und hervorragenden Materialeigenschaften.Aufgrund seiner Eigenschaften wie hoher Festigkeit und Härte, hoher Temperaturbeständigkeit, hervorragender Wärmeleitfähigkeit und chemischer Korrosionsbeständigkeit kann Siliziumkarbid nahezu allen chemischen Medien standhalten.Daher wird SiC häufig im Ölbergbau, in der Chemie, im Maschinenbau und im Luftraum eingesetzt, selbst die Kernenergie und das Militär stellen besondere Anforderungen an SIC.Zu den üblichen Anwendungen, die wir anbieten können, gehören Dichtungsringe für Pumpen, Ventile, Schutzpanzerungen usw.

Wir sind in der Lage, nach Ihren spezifischen Abmessungen mit guter Qualität und angemessener Lieferzeit zu entwerfen und zu fertigen.

Wir können stabil und zuverlässig liefernSiliziumkarbid-Kristallboote,Siliziumkarbid-Paddel,Ofenrohre aus Siliziumkarbidfür die 4-Zoll- bis 6-Zoll-Halbleiterwaferindustrie.Die Reinheit kann 99,9 % erreichen, ohne den Wafer zu verschmutzen.

Siliziumkarbid-Diffusionsrohr (2)

Ofenrohr aus Siliziumkarbidwird hauptsächlich verwendet für: 4-6 Zoll Siliziumwafer LTO= Siliziumdioxid, SIPOS= Oxy-Polysilizium, SI3N4= Siliziumnitrid, PSG= Phosphosiliziumglas, POLY= Polysiliziumfilmwachstum.Dabei handelt es sich um das Rohmaterialgas (oder die Vergasung einer flüssigen Quelle), das durch thermische Energie aktiviert wird, um einen festen Film auf der Oberfläche des Substrats zu erzeugen.Die chemische Niederdruckdampfabscheidung wird bei niedrigem Druck durchgeführt. Aufgrund des niedrigen Drucks ist die durchschnittliche freie Weglänge der Gasmoleküle groß, so dass die Gleichmäßigkeit des gewachsenen Films gut ist und das Substrat vertikal platziert werden kann und die Menge an Die Belastung ist groß und eignet sich besonders für große integrierte Schaltkreise, diskrete Geräte, Leistungselektronik, optoelektronische Geräte und optische Fasern sowie andere Industriezweige mit Spezialausrüstung für die industrielle Produktion.

Anwendungen:

-Verschleißfestes Feld: Buchse, Platte, Sandstrahldüse, Zyklonauskleidung, Schleiftrommel usw.

-Hochtemperaturfeld: SiC-Platte, Abschreckofenrohr, Strahlungsrohr, Tiegel, Heizelement, Walze, Strahl, Wärmetauscher, Kaltluftrohr, Brennerdüse, Thermoelement-Schutzrohr, SiC-Boot, Ofenwagenstruktur, Setter usw.

-Militärisches kugelsicheres Feld

-Siliziumkarbid-Halbleiter: SiC-Wafer-Boot, Sic-Chuck, Sic-Paddel, Sic-Kassette, Sic-Diffusionsrohr, Wafer-Gabel, Saugplatte, Führung usw.

-Siliziumkarbid-Dichtungsbereich: alle Arten von Dichtungsringen, Lagern, Buchsen usw.

-Photovoltaikfeld: Auslegerpaddel, Schleiftrommel, Siliziumkarbidwalze usw.

-Lithium-Batteriefeld

Siliziumkarbid-Diffusionsrohr (3)

Technische Parameter

Bild 1

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