GaAs-Wafer|GaAs-Epi-Wafer| Gallliumarsenid-Substrate

GaAs-Wafer|GaAs-Epi-Wafer| Galliumarsenid-Substrate Ausgewähltes Bild

Kurzbeschreibung:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. ist ein führender Anbieter, der sich auf Wafer und fortschrittliche Halbleiter-Verbrauchsmaterialien spezialisiert hat. Wir widmen uns der Bereitstellung qualitativ hochwertiger, zuverlässiger und innovativer Produkte für die Halbleiterfertigung, die Photovoltaikindustrie und andere verwandte Bereiche.

Unsere Produktlinie umfasst SiC/TaC-beschichtete Graphitprodukte und Keramikprodukte, die verschiedene Materialien wie Siliziumkarbid, Siliziumnitrid und Aluminiumoxid usw. umfassen.

Derzeit sind wir der einzige Hersteller, der eine SiC-Beschichtung mit einer Reinheit von 99,9999 % und 99,9 % rekristallisiertes Siliziumkarbid anbietet. Die maximale Länge der SiC-Beschichtung beträgt 2640 mm.

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Produktdetails

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GaAs-Substrate werden in leitfähige und halbisolierende Substrate unterteilt, die häufig in Lasern (LD), Halbleiter-Leuchtdioden (LED), Nahinfrarotlasern, Quantentopf-Hochleistungslasern und hocheffizienten Solarmodulen verwendet werden. HEMT- und HBT-Chips für Radar-, Mikrowellen-, Millimeterwellen- oder Ultrahochgeschwindigkeitscomputer und optische Kommunikation; Hochfrequenzgeräte für drahtlose Kommunikation, 4G, 5G, Satellitenkommunikation, WLAN.

In jüngster Zeit haben Galliumarsenid-Substrate auch große Fortschritte bei Mini-LEDs, Mikro-LEDs und roten LEDs gemacht und werden häufig in tragbaren AR/VR-Geräten verwendet.

Durchmesser 晶片直径	50mm \| 75mm \| 100mm \| 150mm
Wachstumsmethode 生长方式	LEC液封直拉法 VGF垂直梯度凝固法
Waferdicke 厚度	350 um ~ 625 um
Orientierung 晶向	<100> / <111> / <110> oder andere
Leitfähiger Typ 导电类型	P – Typ / N – Typ / Halbisolierend
Typ/Dotierstoff 掺杂剂	Zn / Si / undotiert
Trägerkonzentration 载流子浓度	1E17 ~ 5E19 cm-3
Widerstand bei RT 室温电阻率(Ohm·cm)	≥1E7 für SI
Mobilität 迁移率(cm2/V·Sek)	≥4000
EPD (Ätzgrubendichte) 腐蚀坑密度	100~1E5
TTV 总厚度变化	≤ 10 um
Bogen / Kette 翘曲度	≤ 20 um
Oberflächenbeschaffenheit 表面	DSP/SSP
Lasermarkierung 激光码
Grad 等级	Epi-polierte Sorte / mechanische Sorte