Semicera ist stolz, das zu präsentierenGa2O3Substrat, ein hochmodernes Material, das die Leistungselektronik und Optoelektronik revolutionieren wird.Galliumoxid (Ga2O3) Substratesind für ihre extrem große Bandlücke bekannt und eignen sich daher ideal für Hochleistungs- und Hochfrequenzgeräte.
Hauptmerkmale:
• Ultragroße Bandlücke: Ga2O3 bietet eine Bandlücke von etwa 4,8 eV, was seine Fähigkeit, hohe Spannungen und Temperaturen zu bewältigen, im Vergleich zu herkömmlichen Materialien wie Silizium und GaN deutlich verbessert.
• Hohe Durchbruchspannung: Mit einem außergewöhnlichen DurchbruchfeldGa2O3Substrateignet sich perfekt für Geräte, die einen Hochspannungsbetrieb erfordern, und sorgt für mehr Effizienz und Zuverlässigkeit.
• Thermische Stabilität: Die hervorragende thermische Stabilität des Materials macht es für Anwendungen in extremen Umgebungen geeignet und behält seine Leistung auch unter rauen Bedingungen bei.
• Vielseitige Anwendungen: Ideal für den Einsatz in hocheffizienten Leistungstransistoren, optoelektronischen UV-Geräten und mehr und bietet eine robuste Grundlage für fortschrittliche elektronische Systeme.
Erleben Sie die Zukunft der Halbleitertechnologie mit SemiceraGa2O3Substrat. Dieses Substrat wurde entwickelt, um den wachsenden Anforderungen der Hochleistungs- und Hochfrequenzelektronik gerecht zu werden, und setzt neue Maßstäbe für Leistung und Haltbarkeit. Vertrauen Sie darauf, dass Semicera innovative Lösungen für Ihre anspruchsvollsten Anwendungen liefert.
| Artikel | Produktion | Forschung | Dummy |
| Kristallparameter | |||
| Polytypie | 4H | ||
| Fehler bei der Oberflächenausrichtung | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische Parameter | |||
| Dotierstoff | Stickstoff vom n-Typ | ||
| Widerstand | 0,015–0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanische Parameter | |||
| Durchmesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primäre flache Ausrichtung | [1-100]±5° | ||
| Primäre flache Länge | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Zweitwohnung | Keiner | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Bogen | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Kette | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikrorohrdichte | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallverunreinigungen | ≤5E10Atome/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Vordere Qualität | |||
| Front | Si | ||
| Oberflächenbeschaffenheit | Si-Face-CMP | ||
| Partikel | ≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser | Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser | NA |
| Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung | Keiner | NA | |
| Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten | Keiner | ||
| Polytypiebereiche | Keiner | Kumulierte Fläche ≤ 20 % | Kumulierte Fläche ≤ 30 % |
| Lasermarkierung vorne | Keiner | ||
| Zurück Qualität | |||
| Hinterer Abschluss | C-Gesichts-CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser | NA | |
| Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen) | Keiner | ||
| Rückenrauheit | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkierung auf der Rückseite | 1 mm (ab Oberkante) | ||
| Rand | |||
| Rand | Fase | ||
| Verpackung | |||
| Verpackung | Epi-ready mit Vakuumverpackung Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten | ||
| *Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD. | |||
