Semicerabietet stolz anGa2O3Epitaxie, eine hochmoderne Lösung, die die Grenzen der Leistungselektronik und Optoelektronik erweitern soll. Diese fortschrittliche Epitaxietechnologie nutzt die einzigartigen Eigenschaften von Galliumoxid (Ga).2O3), um überlegene Leistung in anspruchsvollen Anwendungen zu liefern.
Hauptmerkmale:
• Außergewöhnlich große Bandlücke: Ga2O3Epitaxieverfügt über eine extrem große Bandlücke, die höhere Durchbruchspannungen und einen effizienten Betrieb in Hochleistungsumgebungen ermöglicht.
•Hohe Wärmeleitfähigkeit: Die Epitaxieschicht bietet eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und gewährleistet einen stabilen Betrieb auch unter Hochtemperaturbedingungen, was sie ideal für Hochfrequenzgeräte macht.
•Überlegene Materialqualität: Erzielen Sie eine hohe Kristallqualität mit minimalen Fehlern und gewährleisten Sie so eine optimale Geräteleistung und Langlebigkeit, insbesondere in kritischen Anwendungen wie Leistungstransistoren und UV-Detektoren.
•Vielseitigkeit in den Anwendungen: Perfekt geeignet für Leistungselektronik, HF-Anwendungen und Optoelektronik und bietet eine zuverlässige Grundlage für Halbleiterbauelemente der nächsten Generation.
Entdecken Sie das Potenzial vonGa2O3Epitaxiemit den innovativen Lösungen von Semicera. Unsere Epitaxieprodukte sind so konzipiert, dass sie höchste Qualitäts- und Leistungsstandards erfüllen und Ihren Geräten den Betrieb mit maximaler Effizienz und Zuverlässigkeit ermöglichen. Wählen Sie Semicera für modernste Halbleitertechnologie.
| Artikel | Produktion | Forschung | Dummy |
| Kristallparameter | |||
| Polytypie | 4H | ||
| Fehler bei der Oberflächenausrichtung | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische Parameter | |||
| Dotierstoff | Stickstoff vom n-Typ | ||
| Widerstand | 0,015–0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanische Parameter | |||
| Durchmesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primäre flache Ausrichtung | [1-100]±5° | ||
| Primäre flache Länge | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Zweitwohnung | Keiner | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Bogen | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Kette | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikrorohrdichte | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallverunreinigungen | ≤5E10Atome/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Vordere Qualität | |||
| Front | Si | ||
| Oberflächenbeschaffenheit | Si-Face-CMP | ||
| Partikel | ≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser | Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser | NA |
| Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung | Keiner | NA | |
| Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten | Keiner | ||
| Polytypiebereiche | Keiner | Kumulierte Fläche ≤ 20 % | Kumulierte Fläche ≤ 30 % |
| Lasermarkierung vorne | Keiner | ||
| Zurück Qualität | |||
| Hinterer Abschluss | C-Gesichts-CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser | NA | |
| Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen) | Keiner | ||
| Rückenrauheit | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkierung auf der Rückseite | 1 mm (ab Oberkante) | ||
| Rand | |||
| Rand | Fase | ||
| Verpackung | |||
| Verpackung | Epi-ready mit Vakuumverpackung Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten | ||
| *Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD. | |||
