Epitaxie-Waferträger

Kurzbeschreibung:

Semicera bietet hochwertige Epitaxie-Waferträger, die für Si-Epitaxie- und SiC-Epitaxie-Prozesse entwickelt wurden. Die Produkte von Semicera gewährleisten Stabilität und hervorragende Wärmeleitfähigkeit für verschiedene Halbleiteranwendungen wie MOCVD-Suszeptoren und Barrel-Suszeptoren. Unsere Produkte werden häufig im Produktionsprozess von monokristallinem Silizium mit ausgezeichneter Hochtemperaturbeständigkeit und Materialkompatibilität eingesetzt.


Produktdetails

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Warum ist Siliziumkarbid beschichtet?

Epitaxie-Waferträger sind eine entscheidende Komponente in der Halbleiterproduktion, insbesondere inSi-EpitaxieUndSiC-EpitaxieProzesse. Semicera entwirft und fertigt sorgfältigWaferTräger halten extrem hohen Temperaturen und chemischen Umgebungen stand und gewährleisten eine hervorragende Leistung in Anwendungen wie zMOCVD-Suszeptorund Fasssuszeptor. Ob es um die Abscheidung von monokristallinem Silizium oder komplexe Epitaxieprozesse geht, der Epitaxy Wafer Carrier von Semicera bietet hervorragende Gleichmäßigkeit und Stabilität.

SemicerasEpitaxie-Waferträgerbesteht aus fortschrittlichen Materialien mit ausgezeichneter mechanischer Festigkeit und Wärmeleitfähigkeit, wodurch Verluste und Instabilität während des Prozesses wirksam reduziert werden können. Darüber hinaus ist das Design derWaferCarrier kann sich auch an Epitaxiegeräte unterschiedlicher Größe anpassen und so die Gesamtproduktionseffizienz verbessern.

Für Kunden, die hochpräzise und hochreine Epitaxieprozesse benötigen, ist der Epitaxy Wafer Carrier von Semicera eine vertrauenswürdige Wahl. Wir sind stets bestrebt, unseren Kunden eine hervorragende Produktqualität und zuverlässigen technischen Support zu bieten, um zur Verbesserung der Zuverlässigkeit und Effizienz der Produktionsprozesse beizutragen.

Unser Vorteil, warum Semicera wählen?

✓Top-Qualität auf dem chinesischen Markt

 

✓Guter Service immer für Sie, 7*24 Stunden

 

✓Kurzer Liefertermin

 

✓Kleine MOQ willkommen und akzeptiert

 

✓Maßgeschneiderte Dienstleistungen

Quarzproduktionsausrüstung 4

Anwendung

Epitaxie-Wachstumssuszeptor

Silizium-/Siliziumkarbid-Wafer müssen mehrere Prozesse durchlaufen, um in elektronischen Geräten verwendet zu werden. Ein wichtiger Prozess ist die Silizium/SIC-Epitaxie, bei der Silizium/SIC-Wafer auf einer Graphitbasis getragen werden. Besondere Vorteile der mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitbasis von Semicera sind die extrem hohe Reinheit, die gleichmäßige Beschichtung und die extrem lange Lebensdauer. Sie verfügen außerdem über eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität.

 

LED-Chip-Produktion

Während der großflächigen Beschichtung des MOCVD-Reaktors bewegt die Planetenbasis bzw. der Träger den Substratwafer. Die Leistungsfähigkeit des Grundmaterials hat großen Einfluss auf die Beschichtungsqualität, was sich wiederum auf die Ausschussrate des Spans auswirkt. Die mit Siliziumkarbid beschichtete Basis von Semicera erhöht die Fertigungseffizienz hochwertiger LED-Wafer und minimiert Wellenlängenabweichungen. Für alle aktuell im Einsatz befindlichen MOCVD-Reaktoren liefern wir auch weitere Graphitkomponenten. Wir können nahezu jedes Bauteil mit einer Siliziumkarbid-Beschichtung beschichten, selbst wenn der Bauteildurchmesser bis zu 1,5 m beträgt, können wir dennoch mit Siliziumkarbid beschichten.

Halbleiterfeld, Oxidationsdiffusionsprozess, Usw.

Im Halbleiterprozess erfordert der Oxidationsexpansionsprozess eine hohe Produktreinheit, und bei Semicera bieten wir kundenspezifische und CVD-Beschichtungsdienste für die meisten Siliziumkarbidteile an.

Das folgende Bild zeigt die grob bearbeitete Siliziumkarbid-Aufschlämmung von Semicea und das Siliziumkarbid-Ofenrohr, das im 100 gereinigt wird0-EbenestaubfreiZimmer. Unsere Mitarbeiter arbeiten vor dem Beschichten. Die Reinheit unseres Siliziumkarbids kann 99,98 % erreichen, und die Reinheit der Sic-Beschichtung liegt über 99,9995 %..

Siliziumkarbid-Halbzeug vor der Beschichtung -2

Rohes Siliziumkarbid-Paddel und SiC-Prozessrohr in der Reinigung

SiC-Röhre

Siliziumkarbid-Waferboot, CVD-SiC-beschichtet

Daten von Semi-cera' CVD SiC Performace.

Daten zur Semi-Cera-CVD-SiC-Beschichtung
Reinheit von sic
Semicera Arbeitsplatz
Semicera Arbeitsplatz 2
Semicera Ware House
Ausrüstungsmaschine
CNN-Verarbeitung, chemische Reinigung, CVD-Beschichtung
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