Die von Semicera angebotenen CVD-Siliziumkarbid(SiC)-Ringe sind Schlüsselkomponenten beim Halbleiterätzen, einem wichtigen Schritt bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen. Die Zusammensetzung dieser CVD-Siliziumkarbid(SiC)-Ringe gewährleistet eine robuste und langlebige Struktur, die den rauen Bedingungen des Ätzprozesses standhält. Durch die chemische Gasphasenabscheidung entsteht eine hochreine, gleichmäßige und dichte SiC-Schicht, die den Ringen eine hervorragende mechanische Festigkeit, thermische Stabilität und Korrosionsbeständigkeit verleiht.
CVD-Ringe aus Siliziumkarbid (SiC) sind ein Schlüsselelement in der Halbleiterfertigung und fungieren als Schutzbarriere zum Schutz der Integrität von Halbleiterchips. Sein präzises Design gewährleistet eine gleichmäßige und kontrollierte Ätzung, was bei der Herstellung hochkomplexer Halbleiterbauelemente hilft und eine verbesserte Leistung und Zuverlässigkeit bietet.
Die Verwendung von CVD-SiC-Material bei der Konstruktion der Ringe zeigt das Engagement für Qualität und Leistung in der Halbleiterfertigung. Dieses Material verfügt über einzigartige Eigenschaften, einschließlich hoher Wärmeleitfähigkeit, ausgezeichneter chemischer Inertheit sowie Verschleiß- und Korrosionsbeständigkeit, was CVD-Siliziumkarbid-Ringe (SiC) zu einem unverzichtbaren Bestandteil bei der Suche nach Präzision und Effizienz bei Halbleiterätzprozessen macht.
Der CVD-Siliziumkarbid-Ring (SiC) von Semicera stellt eine fortschrittliche Lösung im Bereich der Halbleiterfertigung dar, bei der die einzigartigen Eigenschaften von chemisch aus der Dampfphase abgeschiedenem Siliziumkarbid genutzt werden, um zuverlässige und leistungsstarke Ätzprozesse zu erreichen und so die kontinuierliche Weiterentwicklung der Halbleitertechnologie voranzutreiben. Wir sind bestrebt, unseren Kunden hervorragende Produkte und professionellen technischen Support zu bieten, um den Bedarf der Halbleiterindustrie an hochwertigen und effizienten Ätzlösungen zu decken.
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Epitaxie-Wachstumssuszeptor
Silizium-/Siliziumkarbid-Wafer müssen mehrere Prozesse durchlaufen, um in elektronischen Geräten verwendet zu werden. Ein wichtiger Prozess ist die Silizium/SIC-Epitaxie, bei der Silizium/SIC-Wafer auf einer Graphitbasis getragen werden. Besondere Vorteile der mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitbasis von Semicera sind die extrem hohe Reinheit, die gleichmäßige Beschichtung und die extrem lange Lebensdauer. Sie verfügen außerdem über eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität.
LED-Chip-Produktion
Während der großflächigen Beschichtung des MOCVD-Reaktors bewegt die Planetenbasis bzw. der Träger den Substratwafer. Die Leistungsfähigkeit des Grundmaterials hat großen Einfluss auf die Beschichtungsqualität, was sich wiederum auf die Ausschussrate des Spans auswirkt. Die mit Siliziumkarbid beschichtete Basis von Semicera erhöht die Fertigungseffizienz hochwertiger LED-Wafer und minimiert Wellenlängenabweichungen. Für alle aktuell im Einsatz befindlichen MOCVD-Reaktoren liefern wir auch weitere Graphitkomponenten. Wir können nahezu jedes Bauteil mit einer Siliziumkarbid-Beschichtung beschichten, selbst wenn der Bauteildurchmesser bis zu 1,5 m beträgt, können wir dennoch mit Siliziumkarbid beschichten.
Halbleiterfeld, Oxidationsdiffusionsprozess, Usw.
Im Halbleiterprozess erfordert der Oxidationsexpansionsprozess eine hohe Produktreinheit, und bei Semicera bieten wir kundenspezifische und CVD-Beschichtungsdienste für die meisten Siliziumkarbidteile an.
Das folgende Bild zeigt die grob bearbeitete Siliziumkarbid-Aufschlämmung von Semicea und das Siliziumkarbid-Ofenrohr, das im 100 gereinigt wird0-EbenestaubfreiZimmer. Unsere Mitarbeiter arbeiten vor dem Beschichten. Die Reinheit unseres Siliziumkarbids kann 99,99 % erreichen, und die Reinheit der Sic-Beschichtung liegt über 99,99995 %..
Rohes Siliziumkarbid-Paddel und SiC-Prozessrohr in der Reinigung
Siliziumkarbid-Waferboot, CVD-SiC-beschichtet
