Der CVD-Siliziumkarbid-Ätzring (SiC) ist eine spezielle Komponente, die aus Siliziumkarbid (SiC) im CVD-Verfahren (Chemical Vapour Deposition) hergestellt wird. Der CVD-Ätzring aus Siliziumkarbid (SiC) spielt eine Schlüsselrolle in einer Vielzahl industrieller Anwendungen, insbesondere bei Prozessen, bei denen Material geätzt wird. Siliziumkarbid ist ein einzigartiges und fortschrittliches Keramikmaterial, das für seine herausragenden Eigenschaften bekannt ist, darunter hohe Härte, hervorragende Wärmeleitfähigkeit und Beständigkeit gegenüber rauen chemischen Umgebungen.
Beim chemischen Gasphasenabscheidungsverfahren wird in einer kontrollierten Umgebung eine dünne SiC-Schicht auf einem Substrat abgeschieden, wodurch ein hochreines und präzise hergestelltes Material entsteht. CVD-Siliziumkarbid ist für seine gleichmäßige und dichte Mikrostruktur, hervorragende mechanische Festigkeit und verbesserte thermische Stabilität bekannt.
Der CVD-Siliziumkarbid-Ätzring (SiC) besteht aus CVD-Siliziumkarbid, das nicht nur eine hervorragende Haltbarkeit gewährleistet, sondern auch chemischer Korrosion und extremen Temperaturschwankungen widersteht. Dies macht es ideal für Anwendungen, bei denen Präzision, Zuverlässigkeit und Lebensdauer entscheidend sind.
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Epitaxie-Wachstumssuszeptor
Silizium-/Siliziumkarbid-Wafer müssen mehrere Prozesse durchlaufen, um in elektronischen Geräten verwendet zu werden. Ein wichtiger Prozess ist die Silizium/SIC-Epitaxie, bei der Silizium/SIC-Wafer auf einer Graphitbasis getragen werden. Besondere Vorteile der mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitbasis von Semicera sind die extrem hohe Reinheit, die gleichmäßige Beschichtung und die extrem lange Lebensdauer. Sie verfügen außerdem über eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität.
LED-Chip-Produktion
Während der großflächigen Beschichtung des MOCVD-Reaktors bewegt die Planetenbasis bzw. der Träger den Substratwafer. Die Leistungsfähigkeit des Grundmaterials hat großen Einfluss auf die Beschichtungsqualität, was sich wiederum auf die Ausschussrate des Spans auswirkt. Die mit Siliziumkarbid beschichtete Basis von Semicera erhöht die Fertigungseffizienz hochwertiger LED-Wafer und minimiert Wellenlängenabweichungen. Für alle aktuell im Einsatz befindlichen MOCVD-Reaktoren liefern wir auch weitere Graphitkomponenten. Wir können nahezu jedes Bauteil mit einer Siliziumkarbid-Beschichtung beschichten, selbst wenn der Bauteildurchmesser bis zu 1,5 m beträgt, können wir dennoch mit Siliziumkarbid beschichten.
Halbleiterfeld, Oxidationsdiffusionsprozess, Usw.
Im Halbleiterprozess erfordert der Oxidationsexpansionsprozess eine hohe Produktreinheit, und bei Semicera bieten wir kundenspezifische und CVD-Beschichtungsdienste für die meisten Siliziumkarbidteile an.
Das folgende Bild zeigt die grob bearbeitete Siliziumkarbid-Aufschlämmung von Semicea und das Siliziumkarbid-Ofenrohr, das im 100 gereinigt wird0-EbenestaubfreiZimmer. Unsere Mitarbeiter arbeiten vor dem Beschichten. Die Reinheit unseres Siliziumkarbids kann 99,99 % erreichen, und die Reinheit der Sic-Beschichtung liegt über 99,99995 %.
Rohes Siliziumkarbid-Paddel und SiC-Prozessrohr in der Reinigung
Siliziumkarbid-Waferboot, CVD-SiC-beschichtet
