Semicerastellt vor850-V-Hochleistungs-GaN-on-Si-Epi-Wafer, ein Durchbruch in der Halbleiterinnovation. Dieser fortschrittliche Epi-Wafer kombiniert die hohe Effizienz von Galliumnitrid (GaN) mit der Kosteneffizienz von Silizium (Si) und schafft so eine leistungsstarke Lösung für Hochspannungsanwendungen.
Hauptmerkmale:
•Umgang mit Hochspannung: Dieser GaN-auf-Si-Epi-Wafer wurde für die Unterstützung von bis zu 850 V entwickelt und ist ideal für anspruchsvolle Leistungselektronik und ermöglicht eine höhere Effizienz und Leistung.
•Verbesserte Leistungsdichte: Mit überlegener Elektronenmobilität und Wärmeleitfähigkeit ermöglicht die GaN-Technologie kompakte Designs und eine erhöhte Leistungsdichte.
•Kostengünstige Lösung: Durch die Nutzung von Silizium als Substrat bietet dieser Epi-Wafer eine kostengünstige Alternative zu herkömmlichen GaN-Wafern, ohne Kompromisse bei Qualität oder Leistung einzugehen.
•Breites Anwendungsspektrum: Perfekt für den Einsatz in Leistungswandlern, HF-Verstärkern und anderen elektronischen Hochleistungsgeräten und gewährleistet Zuverlässigkeit und Haltbarkeit.
Entdecken Sie mit Semicera die Zukunft der Hochspannungstechnologie850-V-Hochleistungs-GaN-on-Si-Epi-Wafer. Dieses Produkt wurde für modernste Anwendungen entwickelt und stellt sicher, dass Ihre elektronischen Geräte mit maximaler Effizienz und Zuverlässigkeit arbeiten. Wählen Sie Semicera für Ihren Halbleiterbedarf der nächsten Generation.
| Artikel | Produktion | Forschung | Dummy |
| Kristallparameter | |||
| Polytypie | 4H | ||
| Fehler bei der Oberflächenausrichtung | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische Parameter | |||
| Dotierstoff | Stickstoff vom n-Typ | ||
| Widerstand | 0,015–0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanische Parameter | |||
| Durchmesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primäre flache Ausrichtung | [1-100]±5° | ||
| Primäre flache Länge | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Zweitwohnung | Keiner | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Bogen | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Kette | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikrorohrdichte | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallverunreinigungen | ≤5E10Atome/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Vordere Qualität | |||
| Front | Si | ||
| Oberflächenbeschaffenheit | Si-Face-CMP | ||
| Partikel | ≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser | Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser | NA |
| Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung | Keiner | NA | |
| Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten | Keiner | ||
| Polytypiebereiche | Keiner | Kumulierte Fläche ≤ 20 % | Kumulierte Fläche ≤ 30 % |
| Lasermarkierung vorne | Keiner | ||
| Zurück Qualität | |||
| Hinterer Abschluss | C-Gesichts-CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser | NA | |
| Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen) | Keiner | ||
| Rückenrauheit | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkierung auf der Rückseite | 1 mm (ab Oberkante) | ||
| Rand | |||
| Rand | Fase | ||
| Verpackung | |||
| Verpackung | Epi-ready mit Vakuumverpackung Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten | ||
| *Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD. | |||
