Die 8-Zoll-N-Typ-SiC-Wafer von Semicera stehen an der Spitze der Halbleiterinnovation und bieten eine solide Basis für die Entwicklung leistungsstarker elektronischer Geräte. Diese Wafer sind so konzipiert, dass sie den strengen Anforderungen moderner elektronischer Anwendungen gerecht werden, von der Leistungselektronik bis hin zu Hochfrequenzschaltungen.
Die N-Typ-Dotierung dieser SiC-Wafer verbessert ihre elektrische Leitfähigkeit und macht sie ideal für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Leistungsdioden, Transistoren und Verstärkern. Die hervorragende Leitfähigkeit sorgt für minimalen Energieverlust und einen effizienten Betrieb, was für Geräte, die mit hohen Frequenzen und Leistungsniveaus arbeiten, von entscheidender Bedeutung ist.
Semicera setzt fortschrittliche Fertigungstechniken ein, um SiC-Wafer mit außergewöhnlicher Oberflächengleichmäßigkeit und minimalen Defekten herzustellen. Dieses Maß an Präzision ist für Anwendungen unerlässlich, die eine konstante Leistung und Haltbarkeit erfordern, beispielsweise in der Luft- und Raumfahrt-, Automobil- und Telekommunikationsindustrie.
Die Integration der 8-Zoll-N-Typ-SiC-Wafer von Semicera in Ihre Produktionslinie bietet eine Grundlage für die Herstellung von Komponenten, die rauen Umgebungen und hohen Temperaturen standhalten. Diese Wafer eignen sich perfekt für Anwendungen in der Energieumwandlung, der HF-Technologie und anderen anspruchsvollen Bereichen.
Wenn Sie sich für die 8-Zoll-N-Typ-SiC-Wafer von Semicera entscheiden, investieren Sie in ein Produkt, das hochwertige Materialwissenschaft mit präziser Technik verbindet. Semicera engagiert sich für die Weiterentwicklung der Leistungsfähigkeit von Halbleitertechnologien und bietet Lösungen, die die Effizienz und Zuverlässigkeit Ihrer elektronischen Geräte verbessern.
| Artikel | Produktion | Forschung | Dummy |
| Kristallparameter | |||
| Polytypie | 4H | ||
| Fehler bei der Oberflächenausrichtung | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische Parameter | |||
| Dotierstoff | Stickstoff vom n-Typ | ||
| Widerstand | 0,015–0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanische Parameter | |||
| Durchmesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primäre flache Ausrichtung | [1-100]±5° | ||
| Primäre flache Länge | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Zweitwohnung | Keiner | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Bogen | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Kette | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikrorohrdichte | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallverunreinigungen | ≤5E10Atome/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Vordere Qualität | |||
| Front | Si | ||
| Oberflächenbeschaffenheit | Si-Face-CMP | ||
| Partikel | ≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser | Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser | NA |
| Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung | Keiner | NA | |
| Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten | Keiner | ||
| Polytypiebereiche | Keiner | Kumulierte Fläche ≤ 20 % | Kumulierte Fläche ≤ 30 % |
| Lasermarkierung vorne | Keiner | ||
| Zurück Qualität | |||
| Hinterer Abschluss | C-Gesichts-CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser | NA | |
| Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen) | Keiner | ||
| Rückenrauheit | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkierung auf der Rückseite | 1 mm (ab Oberkante) | ||
| Rand | |||
| Rand | Fase | ||
| Verpackung | |||
| Verpackung | Epi-ready mit Vakuumverpackung Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten | ||
| *Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD. | |||
