6 Zoll halbisolierender HPSI-SiC-Wafer

Kurzbeschreibung:

Die halbisolierenden 6-Zoll-HPSI-SiC-Wafer von Semicera sind auf maximale Effizienz und Zuverlässigkeit in der Hochleistungselektronik ausgelegt. Diese Wafer zeichnen sich durch hervorragende thermische und elektrische Eigenschaften aus und eignen sich daher ideal für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Leistungsgeräten und Hochfrequenzelektronik. Wählen Sie Semicera für höchste Qualität und Innovation.


Produktdetails

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Die halbisolierenden 6-Zoll-HPSI-SiC-Wafer von Semicera sind so konzipiert, dass sie den strengen Anforderungen der modernen Halbleitertechnologie gerecht werden. Mit außergewöhnlicher Reinheit und Konsistenz dienen diese Wafer als zuverlässige Grundlage für die Entwicklung hocheffizienter elektronischer Komponenten.

Diese HPSI-SiC-Wafer sind für ihre hervorragende Wärmeleitfähigkeit und elektrische Isolierung bekannt, die für die Optimierung der Leistung von Leistungsgeräten und Hochfrequenzschaltungen von entscheidender Bedeutung sind. Die halbisolierenden Eigenschaften tragen dazu bei, elektrische Störungen zu minimieren und die Geräteeffizienz zu maximieren.

Der hochwertige Herstellungsprozess von Semicera stellt sicher, dass jeder Wafer eine gleichmäßige Dicke und minimale Oberflächenfehler aufweist. Diese Präzision ist für fortschrittliche Anwendungen wie Hochfrequenzgeräte, Wechselrichter und LED-Systeme unerlässlich, bei denen Leistung und Haltbarkeit Schlüsselfaktoren sind.

Durch den Einsatz modernster Produktionstechniken liefert Semicera Wafer, die die Industriestandards nicht nur erfüllen, sondern sogar übertreffen. Die 6-Zoll-Größe bietet Flexibilität bei der Skalierung der Produktion und eignet sich sowohl für Forschungs- als auch für kommerzielle Anwendungen im Halbleitersektor.

Wenn Sie sich für die halbisolierenden 6-Zoll-HPSI-SiC-Wafer von Semicera entscheiden, investieren Sie in ein Produkt, das gleichbleibende Qualität und Leistung bietet. Diese Wafer sind Teil des Engagements von Semicera, die Möglichkeiten der Halbleitertechnologie durch innovative Materialien und sorgfältige Handwerkskunst voranzutreiben.

Artikel

Produktion

Forschung

Dummy

Kristallparameter

Polytypie

4H

Fehler bei der Oberflächenausrichtung

<11-20 >4±0,15°

Elektrische Parameter

Dotierstoff

Stickstoff vom n-Typ

Widerstand

0,015–0,025 Ohm·cm

Mechanische Parameter

Durchmesser

150,0 ± 0,2 mm

Dicke

350 ± 25 μm

Primäre flache Ausrichtung

[1-100]±5°

Primäre flache Länge

47,5 ± 1,5 mm

Zweitwohnung

Keiner

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5 mm * 5 mm)

≤5 μm (5 mm * 5 mm)

≤10 μm (5 mm * 5 mm)

Bogen

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Kette

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Struktur

Mikrorohrdichte

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Metallverunreinigungen

≤5E10Atome/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Vordere Qualität

Front

Si

Oberflächenbeschaffenheit

Si-Face-CMP

Partikel

≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm)

NA

Kratzer

≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser

Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser

NA

Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung

Keiner

NA

Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten

Keiner

Polytypiebereiche

Keiner

Kumulierte Fläche ≤ 20 %

Kumulierte Fläche ≤ 30 %

Lasermarkierung vorne

Keiner

Zurück Qualität

Hinterer Abschluss

C-Gesichts-CMP

Kratzer

≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser

NA

Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen)

Keiner

Rückenrauheit

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Lasermarkierung auf der Rückseite

1 mm (ab Oberkante)

Rand

Rand

Fase

Verpackung

Verpackung

Epi-ready mit Vakuumverpackung

Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten

*Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD.

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SiC-Wafer

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