Die halbisolierenden 6-Zoll-HPSI-SiC-Wafer von Semicera sind so konzipiert, dass sie den strengen Anforderungen der modernen Halbleitertechnologie gerecht werden. Mit außergewöhnlicher Reinheit und Konsistenz dienen diese Wafer als zuverlässige Grundlage für die Entwicklung hocheffizienter elektronischer Komponenten.
Diese HPSI-SiC-Wafer sind für ihre hervorragende Wärmeleitfähigkeit und elektrische Isolierung bekannt, die für die Optimierung der Leistung von Leistungsgeräten und Hochfrequenzschaltungen von entscheidender Bedeutung sind. Die halbisolierenden Eigenschaften tragen dazu bei, elektrische Störungen zu minimieren und die Geräteeffizienz zu maximieren.
Der hochwertige Herstellungsprozess von Semicera stellt sicher, dass jeder Wafer eine gleichmäßige Dicke und minimale Oberflächenfehler aufweist. Diese Präzision ist für fortschrittliche Anwendungen wie Hochfrequenzgeräte, Wechselrichter und LED-Systeme unerlässlich, bei denen Leistung und Haltbarkeit Schlüsselfaktoren sind.
Durch den Einsatz modernster Produktionstechniken liefert Semicera Wafer, die die Industriestandards nicht nur erfüllen, sondern sogar übertreffen. Die 6-Zoll-Größe bietet Flexibilität bei der Skalierung der Produktion und eignet sich sowohl für Forschungs- als auch für kommerzielle Anwendungen im Halbleitersektor.
Wenn Sie sich für die halbisolierenden 6-Zoll-HPSI-SiC-Wafer von Semicera entscheiden, investieren Sie in ein Produkt, das gleichbleibende Qualität und Leistung bietet. Diese Wafer sind Teil des Engagements von Semicera, die Fähigkeiten der Halbleitertechnologie durch innovative Materialien und sorgfältige Handwerkskunst voranzutreiben.
Artikel | Produktion | Forschung | Dummy |
Kristallparameter | |||
Polytypie | 4H | ||
Fehler bei der Oberflächenausrichtung | <11-20 >4±0,15° | ||
Elektrische Parameter | |||
Dotierstoff | Stickstoff vom n-Typ | ||
Widerstand | 0,015–0,025 Ohm·cm | ||
Mechanische Parameter | |||
Durchmesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Dicke | 350 ± 25 μm | ||
Primäre flache Ausrichtung | [1-100]±5° | ||
Primäre flache Länge | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Zweitwohnung | Keiner | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
Bogen | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Kette | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Struktur | |||
Mikrorohrdichte | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
Metallverunreinigungen | ≤5E10Atome/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Vordere Qualität | |||
Front | Si | ||
Oberflächenbeschaffenheit | Si-Face-CMP | ||
Partikel | ≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm) | NA | |
Kratzer | ≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser | Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser | NA |
Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung | Keiner | NA | |
Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten | Keiner | ||
Polytypiebereiche | Keiner | Kumulierte Fläche ≤ 20 % | Kumulierte Fläche ≤ 30 % |
Lasermarkierung vorne | Keiner | ||
Zurück Qualität | |||
Hinterer Abschluss | C-Gesichts-CMP | ||
Kratzer | ≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser | NA | |
Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen) | Keiner | ||
Rückenrauheit | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Lasermarkierung auf der Rückseite | 1 mm (ab Oberkante) | ||
Rand | |||
Rand | Fase | ||
Verpackung | |||
Verpackung | Epi-ready mit Vakuumverpackung Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten | ||
*Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD. |