Der 6-Zoll-LiNbO3-Bondwafer von Semicera wurde entwickelt, um die strengen Standards der Halbleiterindustrie zu erfüllen und sowohl in Forschungs- als auch in Produktionsumgebungen eine beispiellose Leistung zu liefern. Ob für High-End-Optoelektronik, MEMS oder fortschrittliche Halbleiterverpackungen, dieser Bondwafer bietet die Zuverlässigkeit und Haltbarkeit, die für die Entwicklung modernster Technologien erforderlich sind.
In der Halbleiterindustrie wird der 6-Zoll-LiNbO3-Bondwafer häufig zum Verbinden dünner Schichten in optoelektronischen Geräten, Sensoren und mikroelektromechanischen Systemen (MEMS) verwendet. Seine außergewöhnlichen Eigenschaften machen es zu einer wertvollen Komponente für Anwendungen, die eine präzise Schichtintegration erfordern, beispielsweise bei der Herstellung integrierter Schaltkreise (ICs) und photonischer Geräte. Die hohe Reinheit des Wafers stellt sicher, dass das Endprodukt eine optimale Leistung beibehält und minimiert das Risiko einer Kontamination, die die Gerätezuverlässigkeit beeinträchtigen könnte.
| Thermische und elektrische Eigenschaften von LiNbO3 | |
| Schmelzpunkt | 1250 ℃ |
| Curie-Temperatur | 1140 ℃ |
| Wärmeleitfähigkeit | 38 W/m/K bei 25 °C |
| Wärmeausdehnungskoeffizient (bei 25 °C) | //a，2,0×10-6/K //c，2,2×10-6/K |
| Widerstand | 2×10-6Ω·cm bei 200 ℃ |
| Dielektrizitätskonstante | εS11/ε0=43, εT11/ε0=78 εS33/ε0=28,εT33/ε0=2 |
| Piezoelektrische Konstante | D22=2,04×10-11C/N D33=19,22×10-11C/N |
| Elektrooptischer Koeffizient | γT33=32 pm/V, γS33=31 Uhr/V， γT31=10 pm/V, γS31=8,6 Uhr/V, γT22=6,8 pm/V, γS22=3,4 Uhr/V, |
| Halbwellenspannung, Gleichstrom | 3,03 KV 4,02 KV |
Der 6-Zoll-LiNbO3-Bondwafer von Semicera wurde speziell für anspruchsvolle Anwendungen in der Halbleiter- und Optoelektronikindustrie entwickelt. Dieser Bondwafer ist für seine überragende Verschleißfestigkeit, hohe thermische Stabilität und außergewöhnliche Reinheit bekannt und eignet sich ideal für die Hochleistungshalbleiterfertigung und bietet langanhaltende Zuverlässigkeit und Präzision auch unter anspruchsvollen Bedingungen.
Der mit modernster Technologie gefertigte 6-Zoll-LiNbO3-Bondwafer sorgt für minimale Kontamination, was für Halbleiterproduktionsprozesse, die ein hohes Maß an Reinheit erfordern, von entscheidender Bedeutung ist. Aufgrund seiner hervorragenden thermischen Stabilität kann es erhöhten Temperaturen standhalten, ohne die strukturelle Integrität zu beeinträchtigen, was es zu einer zuverlässigen Wahl für Hochtemperatur-Klebeanwendungen macht. Darüber hinaus sorgt die hervorragende Verschleißfestigkeit des Wafers dafür, dass er auch bei längerer Nutzung eine konstante Leistung erbringt, eine lange Haltbarkeit bietet und die Notwendigkeit eines häufigen Austauschs verringert.
