1.ÜberEpitaktische Wafer aus Siliziumkarbid (SiC).
Epitaxiewafer aus Siliziumkarbid (SiC) werden durch Abscheiden einer Einkristallschicht auf einem Wafer unter Verwendung eines Siliziumkarbid-Einkristallwafers als Substrat gebildet, üblicherweise durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD). Unter anderem wird Siliziumkarbid-Epitaxie durch Aufwachsen einer Siliziumkarbid-Epitaxieschicht auf dem leitfähigen Siliziumkarbid-Substrat hergestellt und weiter zu Hochleistungsgeräten verarbeitet.
2.Siliziumkarbid-EpitaxiewaferSpezifikationen
Wir können epitaktische 4H-SiC-Wafer vom N-Typ mit einer Größe von 4, 6, 8 Zoll liefern. Der epitaktische Wafer verfügt über eine große Bandbreite, eine hohe Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit, ein zweidimensionales Hochgeschwindigkeitselektronengas und eine hohe Durchbruchfeldstärke. Diese Eigenschaften verleihen dem Gerät eine hohe Temperaturbeständigkeit, eine hohe Spannungsbeständigkeit, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, einen niedrigen Einschaltwiderstand, eine geringe Größe und ein geringes Gewicht.
3. SiC-Epitaxieanwendungen
SiC-Epitaxiewaferwird hauptsächlich in Schottky-Diode (SBD), Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), Sperrschicht-Feldeffekttransistor (JFET), bipolarem Sperrschichttransistor (BJT), Thyristor (SCR) und Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT) verwendet im Niederspannungs-, Mittelspannungs- und Hochspannungsbereich. Momentan,SiC-Epitaxiewaferfür Hochspannungsanwendungen befinden sich weltweit im Forschungs- und Entwicklungsstadium.
