Semicerastellt stolz seine vor4" Galliumoxid-Substrate, ein bahnbrechendes Material, das entwickelt wurde, um den wachsenden Anforderungen von Hochleistungshalbleiterbauelementen gerecht zu werden. Galliumoxid (Ga2O3)-Substrate bieten eine extrem große Bandlücke und eignen sich daher ideal für Leistungselektronik der nächsten Generation, UV-Optoelektronik und Hochfrequenzgeräte.
Hauptmerkmale:
• Ultragroße Bandlücke: Der4" Galliumoxid-Substrateverfügen über eine Bandlücke von etwa 4,8 eV, was eine außergewöhnliche Spannungs- und Temperaturtoleranz ermöglicht und herkömmliche Halbleitermaterialien wie Silizium deutlich übertrifft.
•Hohe Durchbruchspannung: Diese Substrate ermöglichen den Betrieb von Geräten bei höheren Spannungen und Leistungen und eignen sich daher perfekt für Hochspannungsanwendungen in der Leistungselektronik.
•Überlegene thermische Stabilität: Galliumoxid-Substrate bieten eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und gewährleisten eine stabile Leistung unter extremen Bedingungen, ideal für den Einsatz in anspruchsvollen Umgebungen.
•Hohe Materialqualität: Mit geringer Defektdichte und hoher Kristallqualität gewährleisten diese Substrate eine zuverlässige und konstante Leistung und verbessern die Effizienz und Haltbarkeit Ihrer Geräte.
•Vielseitige Anwendung: Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Leistungstransistoren, Schottky-Dioden und UV-C-LED-Geräten, und ermöglicht Innovationen sowohl im Leistungs- als auch im optoelektronischen Bereich.
Entdecken Sie die Zukunft der Halbleitertechnologie mit Semicera4" Galliumoxid-Substrate. Unsere Substrate sind für die Unterstützung modernster Anwendungen konzipiert und bieten die Zuverlässigkeit und Effizienz, die für die modernen Geräte von heute erforderlich sind. Vertrauen Sie Semicera für Qualität und Innovation bei Ihren Halbleitermaterialien.
| Artikel | Produktion | Forschung | Dummy |
| Kristallparameter | |||
| Polytypie | 4H | ||
| Fehler bei der Oberflächenausrichtung | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische Parameter | |||
| Dotierstoff | Stickstoff vom n-Typ | ||
| Widerstand | 0,015–0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanische Parameter | |||
| Durchmesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primäre flache Ausrichtung | [1-100]±5° | ||
| Primäre flache Länge | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Zweitwohnung | Keiner | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Bogen | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Kette | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikrorohrdichte | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallverunreinigungen | ≤5E10Atome/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Vordere Qualität | |||
| Front | Si | ||
| Oberflächenbeschaffenheit | Si-Face-CMP | ||
| Partikel | ≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser | Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser | NA |
| Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung | Keiner | NA | |
| Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten | Keiner | ||
| Polytypiebereiche | Keiner | Kumulierte Fläche ≤ 20 % | Kumulierte Fläche ≤ 30 % |
| Lasermarkierung vorne | Keiner | ||
| Zurück Qualität | |||
| Hinterer Abschluss | C-Gesichts-CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser | NA | |
| Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen) | Keiner | ||
| Rückenrauheit | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkierung auf der Rückseite | 1 mm (ab Oberkante) | ||
| Rand | |||
| Rand | Fase | ||
| Verpackung | |||
| Verpackung | Epi-ready mit Vakuumverpackung Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten | ||
| *Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD. | |||
