Das 4" 6" halbisolierende SiC-Substrat von Semicera ist ein hochwertiges Material, das entwickelt wurde, um die strengen Anforderungen von HF- und Leistungsgeräteanwendungen zu erfüllen. Das Substrat kombiniert die hervorragende Wärmeleitfähigkeit und hohe Durchbruchspannung von Siliziumkarbid mit halbisolierenden Eigenschaften und ist damit eine ideale Wahl für die Entwicklung fortschrittlicher Halbleiterbauelemente.
Das 4" 6" halbisolierende SiC-Substrat wird sorgfältig hergestellt, um hochreines Material und eine gleichbleibende halbisolierende Leistung zu gewährleisten. Dadurch wird sichergestellt, dass das Substrat in HF-Geräten wie Verstärkern und Transistoren für die erforderliche elektrische Isolierung sorgt und gleichzeitig die für Hochleistungsanwendungen erforderliche thermische Effizienz bietet. Das Ergebnis ist ein vielseitiges Substrat, das in einer Vielzahl leistungsstarker elektronischer Produkte verwendet werden kann.
Semicera ist sich der Bedeutung der Bereitstellung zuverlässiger, fehlerfreier Substrate für kritische Halbleiteranwendungen bewusst. Unser 4" 6" halbisolierendes SiC-Substrat wird mit fortschrittlichen Fertigungstechniken hergestellt, die Kristallfehler minimieren und die Materialgleichmäßigkeit verbessern. Dadurch kann das Produkt die Herstellung von Geräten mit verbesserter Leistung, Stabilität und Lebensdauer unterstützen.
Semiceras Engagement für Qualität stellt sicher, dass unser halbisolierendes SiC-Substrat von 4" bis 6" zuverlässige und konstante Leistung in einem breiten Anwendungsspektrum liefert. Ob Sie Hochfrequenzgeräte oder energieeffiziente Stromversorgungslösungen entwickeln, unsere halbisolierenden SiC-Substrate bilden die Grundlage für den Erfolg der Elektronik der nächsten Generation.
Grundparameter
| Größe | 6 Zoll | 4 Zoll |
| Durchmesser | 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm | 100,0 mm + 0 mm/-0,5 mm |
| Oberflächenorientierung | {0001}±0,2° | |
| Primäre flache Ausrichtung | / | <1120>±5° |
| Sekundäre flache Ausrichtung | / | Silikonseite nach oben: 90° CW von Prime flach 士 5° |
| Primäre flache Länge | / | 32,5 mm x 2,0 mm |
| Sekundäre flache Länge | / | 18,0 mm × 2,0 mm |
| Kerbenausrichtung | <1100>±1,0° | / |
| Kerbenausrichtung | 1,0 mm+0,25 mm/-0,00 mm | / |
| Kerbwinkel | 90°+5°/-1° | / |
| Dicke | 500,0 um bis 25,0 um | |
| Leitfähiger Typ | Halbisolierend | |
Informationen zur Kristallqualität
| ltem | 6 Zoll | 4 Zoll |
| Widerstand | ≥1E9Q·cm | |
| Polytypie | Keine erlaubt | |
| Mikrorohrdichte | ≤0,5/cm2 | ≤0,3/cm2 |
| Hex-Platten durch hochintensives Licht | Keine erlaubt | |
| Visuelle Kohlenstoffeinschlüsse von high | Kumulierte Fläche ≤ 0,05 % | |
Spezifischer Widerstand: Getestet durch berührungslosen Schichtwiderstand.
Mikrorohrdichte
