Semicerafreut sich, Ihnen etwas anbieten zu können2" Galliumoxid-Substrate, ein hochmodernes Material, das die Leistung fortschrittlicher Halbleiterbauelemente verbessern soll. Diese Substrate bestehen aus Galliumoxid (Ga2O3) verfügen über eine extrem große Bandlücke, was sie zur idealen Wahl für optoelektronische Hochleistungs-, Hochfrequenz- und UV-Anwendungen macht.
Hauptmerkmale:
• Ultragroße Bandlücke: Der2" Galliumoxid-Substratebieten eine hervorragende Bandlücke von etwa 4,8 eV und ermöglichen einen Betrieb bei höherer Spannung und Temperatur, der die Fähigkeiten herkömmlicher Halbleitermaterialien wie Silizium bei weitem übertrifft.
•Außergewöhnliche Durchbruchspannung: Mit diesen Substraten können Geräte deutlich höhere Spannungen bewältigen und eignen sich daher perfekt für die Leistungselektronik, insbesondere in Hochspannungsanwendungen.
•Ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit: Dank ihrer überragenden thermischen Stabilität behalten diese Substrate auch in extremen thermischen Umgebungen eine konstante Leistung bei und sind ideal für Hochleistungs- und Hochtemperaturanwendungen.
•Hochwertiges Material: Der2" Galliumoxid-Substratebieten niedrige Defektdichten und eine hohe Kristallqualität und gewährleisten so die zuverlässige und effiziente Leistung Ihrer Halbleiterbauelemente.
•Vielseitige Anwendungen: Diese Substrate eignen sich für eine Reihe von Anwendungen, darunter Leistungstransistoren, Schottky-Dioden und UV-C-LED-Geräte, und bieten eine robuste Grundlage für Innovationen im Leistungs- und optoelektronischen Bereich.
Schöpfen Sie mit Semicera das volle Potenzial Ihrer Halbleitergeräte aus2" Galliumoxid-Substrate. Unsere Substrate sind so konzipiert, dass sie den anspruchsvollen Anforderungen moderner Anwendungen gerecht werden und eine hohe Leistung, Zuverlässigkeit und Effizienz gewährleisten. Wählen Sie Semicera für hochmoderne Halbleitermaterialien, die Innovationen vorantreiben.
| Artikel | Produktion | Forschung | Dummy |
| Kristallparameter | |||
| Polytypie | 4H | ||
| Fehler bei der Oberflächenausrichtung | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische Parameter | |||
| Dotierstoff | Stickstoff vom n-Typ | ||
| Widerstand | 0,015–0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanische Parameter | |||
| Durchmesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primäre flache Ausrichtung | [1-100]±5° | ||
| Primäre flache Länge | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Zweitwohnung | Keiner | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Bogen | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Kette | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikrorohrdichte | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallverunreinigungen | ≤5E10Atome/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Vordere Qualität | |||
| Front | Si | ||
| Oberflächenbeschaffenheit | Si-Face-CMP | ||
| Partikel | ≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser | Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser | NA |
| Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung | Keiner | NA | |
| Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten | Keiner | ||
| Polytypiebereiche | Keiner | Kumulierte Fläche ≤ 20 % | Kumulierte Fläche ≤ 30 % |
| Lasermarkierung vorne | Keiner | ||
| Zurück Qualität | |||
| Hinterer Abschluss | C-Gesichts-CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser | NA | |
| Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen) | Keiner | ||
| Rückenrauheit | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkierung auf der Rückseite | 1 mm (ab Oberkante) | ||
| Rand | |||
| Rand | Fase | ||
| Verpackung | |||
| Verpackung | Epi-ready mit Vakuumverpackung Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten | ||
| *Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD. | |||
