Wafer-Kassette

Kurzbeschreibung:

Wafer-Kassette– Präzisionsgefertigt für die sichere Handhabung und Lagerung von Halbleiterwafern, um optimalen Schutz und Sauberkeit während des gesamten Herstellungsprozesses zu gewährleisten.


Produktdetails

Produkt-Tags

SemicerasWafer-Kassetteist eine entscheidende Komponente im Halbleiterherstellungsprozess und dient der sicheren Halterung und dem Transport empfindlicher Halbleiterwafer. DerWafer-Kassettebietet außergewöhnlichen Schutz und stellt sicher, dass jeder Wafer während der Handhabung, Lagerung und des Transports frei von Verunreinigungen und physischen Schäden bleibt.

Der Semicera besteht aus hochreinen, chemikalienbeständigen MaterialienWafer-Kassettegarantiert ein Höchstmaß an Sauberkeit und Haltbarkeit, was für die Waferintegrität in jeder Produktionsphase unerlässlich ist. Die Präzisionstechnik dieser Kassetten ermöglicht eine nahtlose Integration in automatisierte Handhabungssysteme und minimiert so das Risiko einer Kontamination und mechanischen Beschädigung.

Das Design desWafer-KassetteUnterstützt außerdem eine optimale Luftstrom- und Temperaturkontrolle, was für Prozesse, die bestimmte Umgebungsbedingungen erfordern, von entscheidender Bedeutung ist. Ob im Reinraum oder bei der thermischen Verarbeitung, der SemiceraWafer-Kassettewurde entwickelt, um die strengen Anforderungen der Halbleiterindustrie zu erfüllen und zuverlässige und konstante Leistung zu bieten, um die Fertigungseffizienz und Produktqualität zu verbessern.

Artikel

Produktion

Forschung

Dummy

Kristallparameter

Polytypie

4H

Fehler bei der Oberflächenausrichtung

<11-20 >4±0,15°

Elektrische Parameter

Dotierstoff

Stickstoff vom n-Typ

Widerstand

0,015–0,025 Ohm·cm

Mechanische Parameter

Durchmesser

150,0 ± 0,2 mm

Dicke

350 ± 25 μm

Primäre flache Ausrichtung

[1-100]±5°

Primäre flache Länge

47,5 ± 1,5 mm

Zweitwohnung

Keiner

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5 mm * 5 mm)

≤5 μm (5 mm * 5 mm)

≤10 μm (5 mm * 5 mm)

Bogen

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Kette

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Struktur

Mikrorohrdichte

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Metallverunreinigungen

≤5E10Atome/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Vordere Qualität

Front

Si

Oberflächenbeschaffenheit

Si-Face-CMP

Partikel

≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm)

NA

Kratzer

≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser

Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser

NA

Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung

Keiner

NA

Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten

Keiner

Polytypiebereiche

Keiner

Kumulierte Fläche ≤ 20 %

Kumulierte Fläche ≤ 30 %

Lasermarkierung vorne

Keiner

Zurück Qualität

Hinterer Abschluss

C-Gesichts-CMP

Kratzer

≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser

NA

Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen)

Keiner

Rückenrauheit

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Lasermarkierung auf der Rückseite

1 mm (ab Oberkante)

Rand

Rand

Fase

Verpackung

Verpackung

Epi-ready mit Vakuumverpackung

Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten

*Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD.

tech_1_2_size
SiC-Wafer

  • Vorherige:
  • Nächste: