Semicera stellt das vorWafer-Kassettenträger, eine entscheidende Lösung für die sichere und effiziente Handhabung von Halbleiterwafern. Dieser Träger wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen der Halbleiterindustrie zu erfüllen und den Schutz und die Integrität Ihrer Wafer während des gesamten Herstellungsprozesses zu gewährleisten.
Hauptmerkmale:
•Robuste Konstruktion:DerWafer-Kassettenträgerbesteht aus hochwertigen, langlebigen Materialien, die den Strapazen von Halbleiterumgebungen standhalten und zuverlässigen Schutz vor Verunreinigungen und physischen Schäden bieten.
•Präzise Ausrichtung:Dieser für die präzise Ausrichtung von Wafern konzipierte Träger sorgt dafür, dass die Wafer sicher an Ort und Stelle gehalten werden, wodurch das Risiko einer Fehlausrichtung oder Beschädigung während des Transports minimiert wird.
•Einfache Handhabung:Der Träger ist ergonomisch gestaltet und benutzerfreundlich. Er vereinfacht den Be- und Entladevorgang und verbessert die Arbeitseffizienz in Reinraumumgebungen.
•Kompatibilität:Kompatibel mit einer Vielzahl von Wafergrößen und -typen, wodurch es vielseitig für verschiedene Anforderungen der Halbleiterfertigung geeignet ist.
Erleben Sie unvergleichlichen Schutz und Komfort mit SemiceraWafer-Kassettenträger. Unser Träger ist so konzipiert, dass er die höchsten Standards der Halbleiterfertigung erfüllt und sicherstellt, dass Ihre Wafer von Anfang bis Ende in makellosem Zustand bleiben. Vertrauen Sie darauf, dass Semicera die Qualität und Zuverlässigkeit liefert, die Sie für Ihre kritischsten Prozesse benötigen.
| Artikel | Produktion | Forschung | Dummy |
| Kristallparameter | |||
| Polytypie | 4H | ||
| Fehler bei der Oberflächenausrichtung | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische Parameter | |||
| Dotierstoff | Stickstoff vom n-Typ | ||
| Widerstand | 0,015–0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanische Parameter | |||
| Durchmesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primäre flache Ausrichtung | [1-100]±5° | ||
| Primäre flache Länge | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Zweitwohnung | Keiner | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Bogen | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Kette | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikrorohrdichte | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallverunreinigungen | ≤5E10Atome/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Vordere Qualität | |||
| Front | Si | ||
| Oberflächenbeschaffenheit | Si-Face-CMP | ||
| Partikel | ≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser | Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser | NA |
| Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung | Keiner | NA | |
| Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten | Keiner | ||
| Polytypiebereiche | Keiner | Kumulierte Fläche ≤ 20 % | Kumulierte Fläche ≤ 30 % |
| Lasermarkierung vorne | Keiner | ||
| Zurück Qualität | |||
| Hinterer Abschluss | C-Gesichts-CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser | NA | |
| Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen) | Keiner | ||
| Rückenrauheit | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkierung auf der Rückseite | 1 mm (ab Oberkante) | ||
| Rand | |||
| Rand | Fase | ||
| Verpackung | |||
| Verpackung | Epi-ready mit Vakuumverpackung Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten | ||
| *Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD. | |||
