Semicera präsentiert das BranchenführendeWaferträger, entwickelt, um einen hervorragenden Schutz und einen nahtlosen Transport empfindlicher Halbleiterwafer über verschiedene Phasen des Herstellungsprozesses hinweg zu gewährleisten. UnserWaferträgerwurden sorgfältig entwickelt, um den strengen Anforderungen der modernen Halbleiterfertigung gerecht zu werden und sicherzustellen, dass die Integrität und Qualität Ihrer Wafer jederzeit erhalten bleibt.
Hauptmerkmale:
• Hochwertige Materialkonstruktion:Hergestellt aus hochwertigen, kontaminationsbeständigen Materialien, die Haltbarkeit und Langlebigkeit garantieren und sich daher ideal für Reinraumumgebungen eignen.
•Präzises Design:Verfügt über eine präzise Ausrichtung der Schlitze und sichere Haltemechanismen, um ein Verrutschen und Beschädigungen des Wafers während der Handhabung und des Transports zu verhindern.
•Vielseitige Kompatibilität:Bietet Platz für ein breites Spektrum an Wafergrößen und -dicken und bietet Flexibilität für verschiedene Halbleiteranwendungen.
•Ergonomische Handhabung:Das leichte und benutzerfreundliche Design erleichtert das Be- und Entladen, steigert die betriebliche Effizienz und verkürzt die Handhabungszeit.
•Anpassbare Optionen:Bietet Anpassungsmöglichkeiten für spezifische Anforderungen, einschließlich Materialauswahl, Größenanpassungen und Beschriftung für eine optimierte Workflow-Integration.
Verbessern Sie Ihren Halbleiterfertigungsprozess mit SemiceraWaferträger, die perfekte Lösung zum Schutz Ihrer Wafer vor Kontamination und mechanischer Beschädigung. Vertrauen Sie auf unser Engagement für Qualität und Innovation, um Produkte zu liefern, die die Industriestandards nicht nur erfüllen, sondern übertreffen, um sicherzustellen, dass Ihre Abläufe reibungslos und effizient laufen.
| Artikel | Produktion | Forschung | Dummy |
| Kristallparameter | |||
| Polytypie | 4H | ||
| Fehler bei der Oberflächenausrichtung | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische Parameter | |||
| Dotierstoff | Stickstoff vom n-Typ | ||
| Widerstand | 0,015–0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanische Parameter | |||
| Durchmesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primäre flache Ausrichtung | [1-100]±5° | ||
| Primäre flache Länge | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Zweitwohnung | Keiner | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Bogen | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Kette | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikrorohrdichte | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallverunreinigungen | ≤5E10Atome/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Vordere Qualität | |||
| Front | Si | ||
| Oberflächenbeschaffenheit | Si-Face-CMP | ||
| Partikel | ≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser | Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser | NA |
| Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung | Keiner | NA | |
| Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten | Keiner | ||
| Polytypiebereiche | Keiner | Kumulierte Fläche ≤ 20 % | Kumulierte Fläche ≤ 30 % |
| Lasermarkierung vorne | Keiner | ||
| Zurück Qualität | |||
| Hinterer Abschluss | C-Gesichts-CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser | NA | |
| Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen) | Keiner | ||
| Rückenrauheit | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkierung auf der Rückseite | 1 mm (ab Oberkante) | ||
| Rand | |||
| Rand | Fase | ||
| Verpackung | |||
| Verpackung | Epi-ready mit Vakuumverpackung Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten | ||
| *Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD. | |||
