CVD-TaC-Beschichtung

 

Einführung in die CVD-TaC-Beschichtung:

 

Bei der CVD-TaC-Beschichtung handelt es sich um eine Technologie, bei der durch chemische Gasphasenabscheidung eine Tantalcarbid-Beschichtung (TaC) auf der Oberfläche eines Substrats abgeschieden wird. Tantalcarbid ist ein Hochleistungskeramikwerkstoff mit hervorragenden mechanischen und chemischen Eigenschaften. Der CVD-Prozess erzeugt durch Gasreaktion einen gleichmäßigen TaC-Film auf der Oberfläche des Substrats.

 

Hauptmerkmale:

 

Hervorragende Härte und Verschleißfestigkeit: Tantalcarbid weist eine extrem hohe Härte auf und die CVD-TaC-Beschichtung kann die Verschleißfestigkeit des Substrats erheblich verbessern. Dadurch eignet sich die Beschichtung ideal für Anwendungen in Umgebungen mit hohem Verschleiß, beispielsweise bei Schneidwerkzeugen und Formen.

Hohe Temperaturstabilität: TaC-Beschichtungen schützen kritische Ofen- und Reaktorkomponenten bei Temperaturen von bis zu 2200 °C und weisen eine gute Stabilität auf. Es behält seine chemische und mechanische Stabilität unter extremen Temperaturbedingungen bei und eignet sich daher für die Hochtemperaturverarbeitung und Anwendungen in Hochtemperaturumgebungen.

Ausgezeichnete chemische Stabilität: Tantalkarbid weist eine starke Korrosionsbeständigkeit gegenüber den meisten Säuren und Laugen auf, und die CVD-TaC-Beschichtung kann Schäden am Substrat in korrosiven Umgebungen wirksam verhindern.

Hoher Schmelzpunkt: Tantalcarbid hat einen hohen Schmelzpunkt (ca. 3880 °C), wodurch die CVD-TaC-Beschichtung unter extrem hohen Temperaturbedingungen verwendet werden kann, ohne zu schmelzen oder sich zu zersetzen.

Hervorragende Wärmeleitfähigkeit: Die TaC-Beschichtung verfügt über eine hohe Wärmeleitfähigkeit, die dazu beiträgt, die Wärme in Hochtemperaturprozessen effektiv abzuleiten und lokale Überhitzung zu verhindern.

 

Mögliche Anwendungen:

 

• Epitaktische CVD-Reaktorkomponenten aus Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid, einschließlich Waferträgern, Satellitenschüsseln, Duschköpfen, Decken und Suszeptoren

• Kristallwachstumskomponenten aus Siliziumkarbid, Galliumnitrid und Aluminiumnitrid (AlN), einschließlich Tiegel, Keimhalter, Führungsringe und Filter

• Industriekomponenten einschließlich Widerstandsheizelemente, Einspritzdüsen, Abdeckringe und Lötvorrichtungen

 

Anwendungsfunktionen:

 

• Temperaturstabil über 2000 °C, was den Betrieb bei extremen Temperaturen ermöglicht
•Beständig gegen Wasserstoff (Hz), Ammoniak (NH3), Monosilan (SiH4) und Silizium (Si) und bietet Schutz in rauen chemischen Umgebungen
• Seine Thermoschockbeständigkeit ermöglicht schnellere Betriebszyklen
• Graphit weist eine starke Haftung auf und sorgt so für eine lange Lebensdauer und verhindert eine Delaminierung der Beschichtung.
• Ultrahohe Reinheit zur Beseitigung unnötiger Verunreinigungen oder Verunreinigungen
• Konforme Beschichtungsabdeckung für enge Maßtoleranzen

 

Technische Spezifikationen:

 

Herstellung dichter Tantalcarbid-Beschichtungen durch CVD::

 Tantalcarbid-Beschichtung durch CVD-Methode

TAC-Beschichtung mit hoher Kristallinität und ausgezeichneter Gleichmäßigkeit:

 TAC-Beschichtung mit hoher Kristallinität und ausgezeichneter Gleichmäßigkeit

 

 

Technische Parameter der CVD-TAC-BESCHICHTUNG_Semicera:

 

Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung
Dichte 14,3 (g/cm³)
Massenkonzentration 8 x 1015/cm
Spezifischer Emissionsgrad 0,3
Wärmeausdehnungskoeffizient 6,3 10-6/K
Härte (HK) 2000 HK
Massenwiderstand 4,5 Ohm-cm
Widerstand 1x10-5Ohm*cm
Thermische Stabilität <2500℃
Mobilität 237 cm2/Vs
Graphitgrößenänderungen -10~-20um
Beschichtungsdicke ≥20um typischer Wert (35um+10um)

 

Die oben genannten Werte sind typische Werte.

 

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