Der SOI-Wafer (Silicon On Insulator) von Semicera ist für eine hervorragende elektrische Isolierung und thermische Leistung ausgelegt. Diese innovative Waferstruktur mit einer Siliziumschicht auf einer Isolierschicht sorgt für eine verbesserte Geräteleistung und einen geringeren Stromverbrauch und ist somit ideal für eine Vielzahl von High-Tech-Anwendungen.
Unsere SOI-Wafer bieten außergewöhnliche Vorteile für integrierte Schaltkreise, indem sie parasitäre Kapazitäten minimieren und die Geschwindigkeit und Effizienz der Geräte verbessern. Dies ist von entscheidender Bedeutung für die moderne Elektronik, wo hohe Leistung und Energieeffizienz sowohl für Verbraucher- als auch für Industrieanwendungen unerlässlich sind.
Semicera setzt fortschrittliche Fertigungstechniken ein, um SOI-Wafer mit gleichbleibender Qualität und Zuverlässigkeit herzustellen. Diese Wafer bieten eine hervorragende Wärmeisolierung und eignen sich daher für den Einsatz in Umgebungen, in denen die Wärmeableitung ein Problem darstellt, beispielsweise in elektronischen Geräten mit hoher Dichte und Energieverwaltungssystemen.
Der Einsatz von SOI-Wafern in der Halbleiterfertigung ermöglicht die Entwicklung kleinerer, schnellerer und zuverlässigerer Chips. Semiceras Engagement für Präzisionstechnik stellt sicher, dass unsere SOI-Wafer die hohen Standards erfüllen, die für Spitzentechnologien in Bereichen wie Telekommunikation, Automobil und Unterhaltungselektronik erforderlich sind.
Wenn Sie sich für den SOI-Wafer von Semicera entscheiden, investieren Sie in ein Produkt, das den Fortschritt elektronischer und mikroelektronischer Technologien unterstützt. Unsere Wafer sind auf verbesserte Leistung und Haltbarkeit ausgelegt, tragen zum Erfolg Ihrer High-Tech-Projekte bei und stellen sicher, dass Sie an der Spitze der Innovation bleiben.
| Artikel | Produktion | Forschung | Dummy |
| Kristallparameter | |||
| Polytypie | 4H | ||
| Fehler bei der Oberflächenausrichtung | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische Parameter | |||
| Dotierstoff | Stickstoff vom n-Typ | ||
| Widerstand | 0,015–0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanische Parameter | |||
| Durchmesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primäre flache Ausrichtung | [1-100]±5° | ||
| Primäre flache Länge | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Zweitwohnung | Keiner | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Bogen | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Kette | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikrorohrdichte | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallverunreinigungen | ≤5E10Atome/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Vordere Qualität | |||
| Front | Si | ||
| Oberflächenbeschaffenheit | Si-Face-CMP | ||
| Partikel | ≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser | Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser | NA |
| Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung | Keiner | NA | |
| Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten | Keiner | ||
| Polytypiebereiche | Keiner | Kumulierte Fläche ≤ 20 % | Kumulierte Fläche ≤ 30 % |
| Lasermarkierung vorne | Keiner | ||
| Zurück Qualität | |||
| Hinterer Abschluss | C-Gesichts-CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser | NA | |
| Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen) | Keiner | ||
| Rückenrauheit | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkierung auf der Rückseite | 1 mm (ab Oberkante) | ||
| Rand | |||
| Rand | Fase | ||
| Verpackung | |||
| Verpackung | Epi-ready mit Vakuumverpackung Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten | ||
| *Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD. | |||
