Die einfachen SiN-Keramiksubstrate von Semicera bieten eine leistungsstarke Lösung für eine Vielzahl elektronischer und industrieller Anwendungen. Diese Substrate sind für ihre hervorragende Wärmeleitfähigkeit und mechanische Festigkeit bekannt und gewährleisten einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen.
Unsere SiN-Keramik (Siliziumnitrid) ist für extreme Temperaturen und hohe Belastungsbedingungen ausgelegt und eignet sich daher für Hochleistungselektronik und fortschrittliche Halbleiterbauelemente. Ihre Haltbarkeit und Temperaturschockbeständigkeit machen sie ideal für den Einsatz in Anwendungen, bei denen Zuverlässigkeit und Leistung von entscheidender Bedeutung sind.
Die Präzisionsfertigungsprozesse von Semicera stellen sicher, dass jedes glatte Substrat strenge Qualitätsstandards erfüllt. Das Ergebnis sind Substrate mit gleichbleibender Dicke und Oberflächenqualität, die für die Erzielung einer optimalen Leistung in elektronischen Baugruppen und Systemen unerlässlich sind.
Zusätzlich zu ihren thermischen und mechanischen Vorteilen bieten einfache SiN-Keramiksubstrate hervorragende elektrische Isolationseigenschaften. Dies sorgt für minimale elektrische Störungen und trägt zur allgemeinen Stabilität und Effizienz elektronischer Komponenten bei, wodurch sich deren Lebensdauer verlängert.
Wenn Sie sich für SiN Ceramics Plain Substrates von Semicera entscheiden, entscheiden Sie sich für ein Produkt, das fortschrittliche Materialwissenschaft mit erstklassiger Fertigung kombiniert. Unser Engagement für Qualität und Innovation garantiert, dass Sie Substrate erhalten, die den höchsten Industriestandards entsprechen und den Erfolg Ihrer fortschrittlichen Technologieprojekte unterstützen.
| Artikel | Produktion | Forschung | Dummy |
| Kristallparameter | |||
| Polytypie | 4H | ||
| Fehler bei der Oberflächenausrichtung | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische Parameter | |||
| Dotierstoff | Stickstoff vom n-Typ | ||
| Widerstand | 0,015–0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanische Parameter | |||
| Durchmesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primäre flache Ausrichtung | [1-100]±5° | ||
| Primäre flache Länge | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Zweitwohnung | Keiner | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Bogen | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Kette | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikrorohrdichte | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallverunreinigungen | ≤5E10Atome/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Vordere Qualität | |||
| Front | Si | ||
| Oberflächenbeschaffenheit | Si-Face-CMP | ||
| Partikel | ≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser | Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser | NA |
| Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung | Keiner | NA | |
| Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten | Keiner | ||
| Polytypiebereiche | Keiner | Kumulierte Fläche ≤ 20 % | Kumulierte Fläche ≤ 30 % |
| Lasermarkierung vorne | Keiner | ||
| Zurück Qualität | |||
| Hinterer Abschluss | C-Gesichts-CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser | NA | |
| Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen) | Keiner | ||
| Rückenrauheit | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkierung auf der Rückseite | 1 mm (ab Oberkante) | ||
| Rand | |||
| Rand | Fase | ||
| Verpackung | |||
| Verpackung | Epi-ready mit Vakuumverpackung Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten | ||
| *Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD. | |||
